Toshiba Memory Corporation sviluppa la prima memoria flash 3D al mondo con tecnologia TSV

Elevata velocità di trasferimento dati in entrata e in uscita, basso consumo energetico, ampia capacità

The World's First 3D Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

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TOKYO--()--Toshiba Memory Corporation, leader a livello mondiale in soluzioni di memoria, ha annunciato in data odierna di aver sviluppato la prima[1] memoria flash tridimensionale (3D)[2] BiCS FLASH™ al mondo utilizzando la tecnologia Through Silicon Via (TSV)[3] a 3 bit per cella (triple-level cell, TLC). La distribuzione dei prototipi a fini di sviluppo è iniziata a giugno e il lancio dei campioni del prodotto è previsto per la seconda metà del 2017. Il prototipo di questo rivoluzionario dispositivo sarà esposto al Flash Memory Summit 2017, in programma a Santa Clara (California), negli Stati Uniti, dal 7 al 10 agosto.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

Contacts

Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Divisione di pianificazione aziendale
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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