TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Memory Corporation, leader a livello mondiale in soluzioni di memoria, ha annunciato in data odierna di aver sviluppato la prima[1] memoria flash tridimensionale (3D)[2] BiCS FLASH™ al mondo utilizzando la tecnologia Through Silicon Via (TSV)[3] a 3 bit per cella (triple-level cell, TLC). La distribuzione dei prototipi a fini di sviluppo è iniziata a giugno e il lancio dei campioni del prodotto è previsto per la seconda metà del 2017. Il prototipo di questo rivoluzionario dispositivo sarà esposto al Flash Memory Summit 2017, in programma a Santa Clara (California), negli Stati Uniti, dal 7 al 10 agosto.
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