Transphorm en PCIM 2017: la revolución GaN ha comenzado

  • Los primeros FET GaN 650V cualificados para el automóvil
  • Ya se están fabricando los primeros productos de consumo de su categoría
  • Próximos módulos y diseños de referencia

GOLETA, California--()--Durante la exposición Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM) Europa 2017, Transphorm Inc., líder en diseño y fabricación de semiconductores de nitruro de galio (GaN) 650V que cumplen las normas JEDEC, demostrará el dinamismo de los productos GaN de alta tensión en el mercado.

El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal.

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Contacto:
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Heather Ailara, +1 917-715-3273
heather@crimsoncom.com

Release Summary

Transphorm to showcase the first automotive-qualified GaN FET alongside various cross-industry power systems available today—demonstrating that GaN use is gaining momentum in the marketplace.

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