YOKKAICHI, Giappone--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha annunciato oggi di aver iniziato la costruzione di Fab 6, un nuovo stabilimento all’avanguardia per la fabbricazione di semiconduttori, e di un nuovo centro di ricerca e sviluppo, il Memory R&D Center, presso Yokkaichi Operations nella prefettura di Mie, in Giappone, la principale base di produzione di memorie della società.
Fab 6 sarà dedicato alla produzione di BiCS FLASH™, l’innovativa memoria flash 3D di Toshiba1. Come per Fab 5, la costruzione avverrà in due fasi, permettendo di ottimizzare il ritmo dell’investimento in linea con le tendenze del mercato, con il completamento della Fase 1 previsto per l’estate del 2018.
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