東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝 セミコンダクター＆ストレージ社は、第IX世代高速プロセスを採用した40V耐圧パワーMOSFET「U-MOS IX-Hシリーズ」を製品化し、本日から出荷を開始します。当社従来の第VI世代プロセス製品に比べてオン抵抗（RDS(ON)）を76%低減し、業界トップクラス［注１］の低オン抵抗を実現しました。また、スイッチング電源のさらなる高効率化に向けてQoss［注２］の増加も抑えています。
［注１］2014年11月4日現在。東芝調べ。
［注２］Qoss：出力電荷量（ドレイン－ソース間電荷量）
■主な特長
・業界トップクラスの低オン抵抗： 0.85mΩ(max)
・業界トップクラスのRDS(ON)・Qoss
：60mΩ・nC
■アプリケーション
サーバ・通信基地局向けなどの高効率スイッチング電源
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■新製品の主な仕様 |
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| 品番 | パッケージ | VDSS (V) |
RDS(ON)
MAX (mΩ) at VGS=10V |
Ciss
Typ. (pF) |
Qoss
Typ. (nC) |
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| TPHR8504PL | SOP Advance | 40 | 0.85 | 7370 | 85.4 | |||||
当社MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
http://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet.html
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