Toshiba ontwikkelt veldeffecttransistor voor energiezuinige microcontrollers

SSDM2014

TOKYO--()--Toshiba Corporation heeft donderdag bekendgemaakt dat het Tunneling-veldeffecttransistors (TFET's) heeft ontwikkeld die werken met een nieuw principe voor zeer energiezuinige microcontrollers. Het principe is toegepast bij de ontwikkeling van twee verschillende TFET's, met gebruik van processen die compatibel zijn met het CMOS-platform. De TFET's zorgen voor een aanzienlijke energiebesparing in microcontrollers.

Toshiba presenteerde de TFET's op 9 en 10 september gedurende drie presentaties in het Japanse Tsukuba. Twee presentaties waren gebaseerd op gezamenlijk onderzoek met een onderzoeksgroep van Team Green Nanoelectronics Center (GNC) aan het National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST).

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, welke als enige rechtsgeldig is.

Contacts

Toshiba Corporation
Semiconductor & Storage Products Company
Megumi Genchi / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Communication IR Promotion Group
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Contacts

Toshiba Corporation
Semiconductor & Storage Products Company
Megumi Genchi / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Communication IR Promotion Group
Business Planning Division
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp