Toshiba Lanza la Serie "πMOS VIII" de MOSFET de Alta Tensión

Reduce la resistencia en encendido en aproximadamente un 24 %

Toshiba's high voltage MOSFET, "TK9J90E". (Photo: Business Wire)

TOKIO--()--Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que lanzó una serie nueva de MOSFET de alta tensión, la serie "πMOS VIII", e introdujo "TK9J90E" como el producto inicial de la serie. La producción en masa está programada para comenzar en agosto de 2013.

La optimización del diseño del chip reduce la Ron·A (resistencia en encendido por área) en aproximadamente 24 % en comparación con un producto1 con una tensión equivalente. La reducción del desempeño de la Qg (carga de compuerta) en un 24 % mejora el tiempo de apagado (toff) en aproximadamente el 28 %.

 

Especificaciones Principales

Número de Pieza   Paquete   Potencia Máxima Absoluta   RDS(ON) Máx. (Ω)   Qg Típ.
(nC)
  Ciss Típ.
(pF)
VDSS (V)   ID (A) VGS=10 V
TK9J90E   TO-3P(N)   900   9   1,3   46   2000
 

Nota:
1. En comparación con "2SK3878".

Para más información sobre el producto, vea la página del producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324090_37649.html

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Consultas de Prensa:
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Semiconductor & Storage Products Company
Takashi Mochizuki, +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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