TÓQUIO, Japão--(BUSINESS WIRE)--A Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) lançou uma MOSFET ON-resistence de baixa potência e de baixo vazamento usando o último processo trench MOS como um complemento à programação MOSFET para aplicações automotivas. O novo produto, "TK100S04N1L", atinge ON-resistence de baixa potência com uma combinação da mais recente oitava geração do processo trench MOS "série U-MOS VIII-H" de chip e o pacote "DPAK +" que utiliza conectores Cu (cobre) . O produto é indicado principalmente para aplicações automotivas, especialmente para aqueles que exigem comutação de alta velocidade, tais como transmissões de motores e reguladores de comutação. Amostras já estão disponíveis, com produção em massa prevista para começar em março de 2013.
| Polaridade | Número da peça |
Tensão de escoamento para fonte |
Corrente de escoamento |
Série | ||||
| Nch | TK100S04N1L | 40 | 100 | U-MOS VIII-H | ||||
| Características principais |
| 1. ON-Resistance de baixa potência: RDS(ON) = 1,9mΩ(typ.) (VGS=10V ) |
| 2. Baixa corrente de fuga: IDSS=10μA (máx.) (VDS=tensão nominal) |
| 3. pacote "DPAK +" que realiza ON-resistence de baixa potência utilizando conectores de cobre. |
| 4. Tch = 175°C garantidos |
*Siga este link para saber mais sobre este produto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267638_2470.html
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Sobre a Toshiba
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