A Toshiba Memory Corporation desenvolve a primeira memória flash 3D do mundo com tecnologia TSV (Through Silicon Via)

Alcança entrada e saída de dados de alta velocidade, baixo consumo de energia e grande capacidade

The World's First 3D Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

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TÓQUIO--()--A Toshiba Memory Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que desenvolveu a primeira[1] memória flash tridimensional (3D) BiCS FLASH™[2] do mundo usando tecnologia Through Silicon Via (TSV)[3] com tecnologia de três bits por célula, ou célula de nível triplo (triple-level cell, TLC). O envido de protótipos para fins de desenvolvimento iniciou em junho e o lançamento de amostras do produto está programado para o segundo semestre de 2017. O protótipo deste dispositivo revolucionário será apresentado no Flash Memory Summit 2017, que será realizado de 7 a 10 de agosto em Santa Clara, Califórnia, EUA.

Dispositivos fabricados com tecnologia TSV têm eletrodos e vias verticais que passam por circuitos integrados para oferecer conexões, uma arquitetura que alcança entrada e saída de dados em alta velocidade enquanto reduz o consumo de energia. O desempenho real foi anteriormente comprovado, com a introdução da memória flash NAND 2D[4] da Toshiba.

Combinar um processo flash 3D de 48 camadas e tecnologia TSV permitiu que a Toshiba Memory Corporation aumentasse com êxito a largura de banda de programação do produto alcançando um baixo consumo de energia. A eficiência de energia[5] de um único pacote é aproximadamente duas vezes[6] superior à memória BiCS FLASH™ de mesma geração fabricada com tecnologia "wire-bonding" (ligação de fios). A BiCS FLASH™ com TSV também capacita um dispositivo de 1 terabyte (TB) com uma arquitetura de 16 pastilhas empilhadas num único pacote.

A Toshiba Memory Corporation comercializará a BiCS FLASH™ com tecnologia TSV para oferecer uma solução ideal para aplicações de armazenamento que exigem baixa latência, alta largura de banda e altas IOPS[7]/Watt, inclusive SSD empresarial de alta capacidade.

Especificações gerais (protótipo)

Tipo de pacote     NAND Dual x8 BGA-152
Capacidade de armazenamento   512 GB   1 TB
Número de pilhas   8 16
Dimensão externa     W   14 mm 14 mm
  D   18 mm 18 mm
    H   1,35 mm   1,85 mm
Interface   Alternância DDR
Velocidade máx. da interface     1066 Mbps
 

Observação:
[1] Fonte: Toshiba Memory Corporation, em 11 de julho de 2017.
[2] Uma estrutura que empilha verticalmente células de memória Flash em um substrato de silício para alcançar significativas melhorias de densidade em relação à memória Flash NAND, na qual as células estão formadas no substrato de silício.
[3] Through Silicon Via: a tecnologia com eletrodos e vias verticais que passam por circuitos integrados para oferecer conexão num único pacote.
[4] “Toshiba desenvolve primeira memória flash NAND com 16 pastilhas empilhadas do mundo com tecnologia TSV”
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] A taxa de velocidade de transferência de dados por unidade de força (MB/s/W).
[6] Em comparação com os produtos atuais da Toshiba Memory Corporation.
[7] Entrada/saída por segundo: o número de entradas e saídas de dados para processamento por uma porta de E/S por segundo. Um valor maior representa um melhor desempenho.

O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.

Contacts

Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Divisão de planejamento empresarial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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