東芝記憶體公司開發出世界首款QLC 3D快閃記憶體

利用BiCS FLASH™晶片在單一封裝內實現1.5TB的全球最大容量

QLC 3D Flash Memory (Photo: Business Wire)

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東京--()--(美國商業資訊)--記憶體解決方案全球領導者東芝記憶體公司今日宣布開發出世界首款[1]採用堆疊式結構的BiCS FLASH™三維(3D)快閃記憶體[2]。最新的BiCS FLASH™設備是首款採用4位元(四階儲存單元,QLC)技術的快閃記憶體設備,該技術使快閃記憶體設備的儲存容量較3位元(TLC)設備進一步提高並推動了快閃記憶體技術創新。

多位元記憶體透過管理每個獨立儲存單元中的電子數目來儲存資料。實現QLC技術帶來一系列技術挑戰,在相同電子數目下位元數目每增加一個,需要兩倍於TLC技術的精度。東芝記憶體公司利用其先進的電路設計能力和產業領先的64層3D快閃記憶體製程技術,創造出QLC 3D快閃記憶體。

該原型機採用64層3D快閃記憶體製程技術,具有世界最大的裸晶片容量[3](768 Gigabit/96 GB)。原型機已於6月初寄送至固態硬碟和固態硬碟控制器廠商處進行評價和開發。

QLC 3D快閃記憶體還在單一封裝內實現了具有16顆粒堆疊式結構的1.5TB存放裝置,這是業界最大儲存容量[4]。這一開創性設備的樣品將於8月7-10日在美國加州聖克拉拉舉行的2017年快閃記憶體高峰會上亮相。

東芝記憶體公司已經實現64層256 Gigabit(32 GB)設備的量產,隨著量產擴張,公司將繼續透過推動技術開發來展示公司的產業領導力。該新QLC設備專注於滿足市場對高密度、晶片尺寸更小的快閃記憶體解決方案日益成長的需求,主要用於企業級SSD、消費級SSD和記憶卡等應用。

註:
1.資料來源:東芝記憶體公司,截至2017年6月28日。
2.一種在矽基板上垂直堆疊快閃記憶體儲存單元的結構,相較於平面NAND快閃記憶體(儲存單元位於矽基板上),其極大地提高了密度。
3.資料來源:東芝記憶體公司,截至2017年6月28日。
4.資料來源:東芝記憶體公司,截至2017年6月28日。

• 本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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東芝記憶體公司
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
商業規劃部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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