Toshiba Memory Corporation anuncia memória Flash 3D de 96 camadas

A memória BiCS FLASHde quarta geração da Toshiba Memory Corporation adiciona camadas e aumenta a capacidade

TOKYO--()--A Toshiba Memory Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje que desenvolveu uma amostra de protótipo de memória flash tridimensional (3D) BiCS FLASH™ de 96 camadas com uma estrutura de células empilhadas[1], com tecnologia de três bits por célula, ou célula de nível triplo (triple-level cell, TLC). O lançamento de amostras do novo produto de 96 camadas, que é um dispositivo de 256 gigabit (32 gigabytes), está programado para o segundo semestre de 2017, e a produção em massa está programada para 2018. O novo dispositivo atende às exigências do mercado e as especificações de desempenho de aplicativos, que incluem SSD comercial e empresarial, smartphones, tablets e cartões de memória.

De agora em diante, a Toshiba Memory Corporation aplicará sua nova tecnologia de processo de 96 camadas a produtos de maior capacidade, como 512 gigabit (64 gigabytes) e tecnologia de quatro bits por célula (célula de nível quádruplo, QLC), no futuro próximo.

O inovador processo de empilhamento de 96 camadas é combinado com uma tecnologia avançada de processo de circuito e fabricação para alcançar uma capacidade aproximadamente 40% maior por tamanho de chip de unidade, em relação ao processo de empilhamento de 64 camadas. Reduz o custo por bit e aumenta a fabricabilidade de capacidade de memória por uma pastilha de silício.

Desde que anunciou o primeiro[2]protótipo de tecnologia de memória flash 3D em 2007, a Toshiba Memory Corporation continuou a avançar no desenvolvimento de memória flash 3D e está promovendo ativamente a BiCS FLASH™ para atender a exigência de maior capacidade com tamanhos menores de molde.

Essa BiCS FLASH™ de 96 camadas será fabricada na Yokkaichi Operations, Fab 5, a nova Fab 2 e na Fab 6, que será inaugurada no verão de 2018.

Observação:
1. Uma estrutura que empilha verticalmente células de memória flash num substrato de silício para alcançar melhorias significativas de densidade em relação à memória Flash planar NAND, onde as células são formadas no substrato de silício.
2. Fonte: Toshiba Memory Corporation, 12 de junho de 2007.
* Nomes de empresa, nomes de produtos e nomes comerciais mencionados neste comunicado podem ser marcas comerciais de suas respectivas empresas.

O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.

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Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Divisão de planejamento empresarial
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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