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LONDON--(BUSINESS WIRE)--  Funds Date TIDM ISIN Code Shares in Issue Currency Net Asset Value NAV/per Share First Trust Global Capital Strength ESG Leaders UCITS ETF 11.12.2025 FCSG IE00BKPSPT20 1,500,002.00 USD 64,665,855.64 43.111  ...

LONDON--(BUSINESS WIRE)--  Funds Date TIDM ISIN Code Shares in Issue Currency Net Asset Value NAV/per Share First Trust FactorFX UCITS ETF 11.12.2025 FXGB LN IE00BD5HBR05 37,992.00 GBP 733,594.35 25.942  ...

LONDON--(BUSINESS WIRE)--  FORM 8.3 PUBLIC OPENING POSITION DISCLOSURE/DEALING DISCLOSURE BY A PERSON WITH INTERESTS IN RELEVANT SECURITIES REPRESENTING 1% OR MORE Rule 8.3 of the Takeover Code (the “Code”) 1. KEY INFORMATION (a) Full name of discloser: Qube Research & Technologies Limited (b) Owner or controller of interests and short positions disclosed, if different from 1(a): The naming of nominee or vehicle companies is insufficient. For a trust, the trustee(s), settlor and beneficiari...

LONDON--(BUSINESS WIRE)--  FORM 8.3 PUBLIC OPENING POSITION DISCLOSURE/DEALING DISCLOSURE BY A PERSON WITH INTERESTS IN RELEVANT SECURITIES REPRESENTING 1% OR MORE Rule 8.3 of the Takeover Code (the “Code”) 1. KEY INFORMATION (a) Full name of discloser: Qube Research & Technologies Limited (b) Owner or controller of interests and short positions disclosed, if different from 1(a): The naming of nominee or vehicle companies is insufficient. For a trust, the trustee(s), settlor and beneficiari...

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布，已研发出具备高堆叠性的氧化物半导体沟道晶体管技术，该技术将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。这项技术已于12月10日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会(IEDM)上亮相，有望降低AI服务器和物联网组件等众多应用场景的功耗。 在AI时代，市场对于具备更大容量、更低功耗、可处理海量数据的DRAM的需求持续攀升。传统DRAM技术在存储单元尺寸微缩方面已逼近物理极限，业界因此开始研究存储单元的3D堆叠技术，以此拓展存储容量。传统DRAM采用单晶硅作为堆叠存储单元中晶体管的沟道材料，这种方式会推高制造成本，同时存储单元的刷新功耗还会随存储容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上，我们宣布研发出氧化物半导体沟道晶体管DRAM (OCTRAM)技术，该技术使用由氧化物半导体材料制成的垂直晶体管。在今年的大会展示中，我们推出了可实现OCTRAM 3D堆叠的高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术，并完成了8层晶体管堆叠结构的功能验证。 这项新技术将...

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation今日宣布，已研發出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道電晶體技術，該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件大會(IEDM)上亮相，可望降低AI伺服器和物聯網組件等眾多應用場景的功耗。 在AI時代，市場對於具備更大容量、更低功耗、可處理海量資料的DRAM的需求持續攀升。傳統DRAM技術在儲存單元尺寸微縮方面已逼近實體極限，業界因此開始研究儲存單元的3D堆疊技術，以此擴大儲存容量。傳統DRAM將單晶矽用作堆疊儲存單元中電晶體的溝道材料，這種方式會推高製造成本，同時儲存單元的刷新功耗還會隨儲存容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上，我們宣布研發出氧化物半導體溝道電晶體DRAM (OCTRAM)技術，該技術使用由氧化物半導體材料製成的垂直電晶體。在今年的大會展示中，我們推出了可實現OCTRAM 3D堆疊的高堆疊性氧化物半導體溝道電晶體技術，並完成了8層電晶體堆疊結構的功能驗證。 這項新技術將成...

LONDON--(BUSINESS WIRE)--  Funds Date TIDM ISIN Code Shares in Issue Currency Net Asset Value NAV/per Share First Trust Vest U.S. Equity Buffer UCITS ETF - July 11.12.2025 FJUL.LN IE000YJBT6I5 100,002.00 USD 2,675,080.24 26.750  ...

LONDON--(BUSINESS WIRE)--  FORM 8.3 PUBLIC OPENING POSITION DISCLOSURE/DEALING DISCLOSURE BY A PERSON WITH INTERESTS IN RELEVANT SECURITIES REPRESENTING 1% OR MORE Rule 8.3 of the Takeover Code (the “Code”) 1. KEY INFORMATION (a) Full name of discloser: Qube Research & Technologies Limited (b) Owner or controller of interests and short positions disclosed, if different from 1(a): The naming of nominee or vehicle companies is insufficient. For a trust, the trustee(s), settlor and beneficiari...

LONDON--(BUSINESS WIRE)--  Funds Date TIDM ISIN Code Shares in Issue Currency Net Asset Value NAV/per Share First Trust FactorFX UCITS ETF 11.12.2025 FTFX IE00BD5HBQ97 63,402.00 USD 1,619,225.70 25.539  ...

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, empresa líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy el desarrollo de transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables que permitirán la implementación práctica de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) 3D de alta densidad y bajo consumo. Esta tecnología se presentó en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco, EE. UU., el 10 de diciembre, y tiene el potencial de reducir el consumo de...