YOKKAICHI, Japan--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) heeft vandaag bekendgemaakt dat het is begonnen met de bouw van een hypermoderne fabriek halfgeleiders, Fab 6, en een nieuw onderzoeks- en ontwikkelingscentrum het Memory R&D Center. Beide locaties staan op Toshiba’s complex in de Japanse stad Yokkaichi, in de prefectuur Mie.
Fab 6 is gewijd aan de productie van BiCS FLASH™, een vernieuwend type 3D-flashgeheugen van Toshiba. Net zoals bij Fab 5 is de bouw van de fabriek onderverdeeld in twee fases. Dit zorgt voor een optimaal investeringstempo ten opzichte van de markttrends. Toshiba bepaalt de juiste capaciteit en productiedoelstellingen door de markt nauwgezet te volgen.
Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, welke als enige rechtsgeldig is.
