Panasonic e United Microelectronics Corporation concordam em desenvolver processo de produção em massa para ReRAM da próxima geração

OSAKA, Japão--()--A Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. (“PSCS”, sede: cidade de Nagaokakyo, Prefeitura de Kyoto; Presidente: Kazuhiro Koyama) alcançou um acordo com a United Microelectronics Corporation (“UMC”, sede: cidade de Hsinchu, Taiwan, CEO: Po Wen Yen) sobre o desenvolvimento conjunto do processo de produção em massa para a ReRAM de 40 nm da próxima geração[1].

ReRAM, como a memória flash [2] atualmente em uso generalizado, é um tipo de memória não-volátil[3]. O dispositivo possui uma estrutura simples, processamento de alta velocidade e baixo consumo de energia. A PSCS começou a produção em massa de ReRAM usando um processo de 180 nm em 2013, e está atualmente fornecendo sua série MN101LR de microcomputadores de 8 bits para aplicações de baixo consumo de energia, como em dispositivos portáteis de saúde. A empresa foi a primeira a testar e a verificar a alta confiabilidade de arrays de memória pelo processo 40 nm.

O projeto em colaboração, objeto do acordo, permitirá a integração de tecnologias para ReRAM com processo 40 nm desenvolvidas pela PSCS com as tecnologias de processo CMOS da UMC, de alta confiabilidade. Isso permitirá uma plataforma de processo para ReRAM que será aplicável, como memórias embutidas, para substituir as memórias flash em diversos dispositivos de sistema, como os amplamente usados em cartões IC, terminais vestíveis e em dispositivos de IoT.

A PSCS enviará amostras de produtos em 2018 já usando o processo 40 nm, e será a primeira a iniciar a produção em massa no setor. As duas empresas, PSCS e UMC, oferecerão a plataforma de processo ReRAM desenvolvida em conjunto a outros fabricantes e fornecedores de semicondutores de todo o mundo.

Em relação a este programa de cooperação, o presidente da PSCS, Kazuhiro Koyama, disse: “A empresa fornecerá uma ampla gama de ótimos produtos, que atenderá as necessidades do consumidor ao desenvolver uma plataforma expansível de processo que acelerará a adoção de ReRAM pelo mercado, e com produção em massa no setor iniciada pela PSCS”.

“Estamos empolgados em realizar este acordo inicial com a Panasonic”, disse o vice-presidente sênior da UMC, S. C. Chien. “A comprovada confiabilidade, os rápidos tempos de ciclo e a alta produtividade de nosso processo 40 nm elevará a competitividade do ReRAM da Panasonic, o que resultará em benefícios mútuos para as duas empresas enquanto o produto ganha ampla adoção pelo mercado. Esperamos trabalhar com a Panasonic para trazer o ReRAM de 40 nm deles para uma produção em alto volume”.

Sobre a Panasonic
A Panasonic Corporation é líder mundial no desenvolvimento de diversas tecnologias e soluções eletrônicas para os clientes nos setores de eletrônicos, habitação, automotivo, soluções corporativas e indústrias de dispositivos. Desde sua fundação em 1918, a empresa expandiu mundialmente e hoje opera 474 subsidiárias e 94 sociedades coligadas em todo o mundo, registrando vendas líquidas consolidadas de 7,553 trilhões de ienes no ano fiscal encerrado em 31 de março de 2016. Empenhada na busca de novos valores por meio da inovação entre todas as linhas divisionais, a empresa emprega suas tecnologias para criar uma vida melhor e um mundo melhor para seus clientes. Para saber mais sobre a Panasonic, acesse: http://www.panasonic.com/global.

Sobre a UMC (United Microelectronics Corporation)
A UMC é a líder global em fabricação de semicondutores que proporciona produção IC avançada para aplicações abrangendo todos os principais campos do setor de eletrônica. As 10 fábricas wafer da UMS estão estrategicamente localizadas pela Ásia e podem produzir mais de 500 mil wafers por mês. A empresa emprega mais de 17 mil pessoas em todo o mundo, com escritórios localizados em Taiwan, China continental, Europa, Japão, Coreia do Sul, Singapura e Estados Unidos.
UMC: http://www.umc.com

 

Terminologia

[1]   ReRAM (Resistive Random Access Memory ou Memória de Acesso Aleatória Resistiva)
Memória não volátil, que gera amplas diferenças de resistência ao aplicar voltagens de pulso a finas películas de óxido de metal para armazenar “0s” e “1s”. A memória possui uma estrutura simples, que compreende óxidos de metal intercalados por eletrodos, permitindo um processo simples de fabricação, e possui características excepcionais, que incluem baixo consumo de energia e regravação de alta velocidade.
 
[2] Memória flash
Memória não volátil, que pode ser eletricamente apagada e regravada.
 
[3] Memória não volátil
Memória em supercondutor, que retém dados mesmo quando não há fornecimento de energia.
 

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