東芝:高許容損失の小型パッケージを採用したモバイル機器のロードスイッチ用低オン抵抗MOSFETの発売について

東芝:高許容損失の小型パッケージを採用したモバイル機器のロードスイッチ用低オン抵抗MOSFET:SSM6J801R (写真:ビジネスワイヤ)

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東京--()--(ビジネスワイヤ) -- 株式会社東芝 ストレージ&デバイスソリューション社は、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器の充電回路用ロードスイッチ向けに展開している小型・低オン抵抗MOSFETのラインアップに、新たに開発した高許容損失の小型パッケージ「TSOP6F」を採用した製品を加え、その第一弾として20V耐圧のPチャネルシングルMOSFET「SSM6J801R」のサンプル出荷を本日から開始します。量産出荷は12月末を予定しています。

新パッケージ「TSOP6F」は、モバイル機器の充電回路用ロードスイッチやLED駆動回路の小スペース化要求に対応して開発された2.9mm×2.8mmの小型パッケージで、既存のSOT-457パッケージと同じ実装面積とランドパターンながら、許容損失1.5Wを実現しています。

新パッケージ「TSOP6F」を使った小型・低オン抵抗MOSFET製品は、今回の「SSM6J801R」を第一弾とし、今後2in1展開など順次製品ラインアップの拡大を行っていく予定です。

 

品番

  構成   VDSS (V)   VGSS (V)   ID (A)   RDS(ON) typ. (mΩ)   Ciss (pF)   Sample   Mass Production
VGS=1.5V   VGS=1.8V   VGS=2.5V   VGS=4.5V  
SSM6J801R Pch Single -20 -8/+6 -6 47 39 31 25 840 OK Dec./'16
SSM6J808R -40 -20/+10 -7 - - - 41 1105 Dec./'16 2Q/'17
SSM6K810R Nch Single 100 ±20 3.5 - - - 65 430 Dec./'16 2Q/'17
SSM6N813R Nch Dual 100 ±20 3.5 - - - 120 172 Apr./'17 3Q/'17
SSM6N815R     100   ±20   2   -   -   -   95   223   Mar./'17   May/'17
 

新製品「SSM6J801R」の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/detail.SSM6J801R.html

東芝の小型・低オン抵抗 MOSFETのラインアップについては下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
株式会社東芝
ストレージ&デバイスソリューション社
デジタルマーケティング部
高畑浩二
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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