YOKKAICHI, Japão e IRVINE, Califórnia--(BUSINESS WIRE)--A Toshiba Corporation (TOKYO:6502) e a Western Digital Corporation (NASDAQ:WDC) celebram hoje a abertura da nova instalação de fabricação de semicondutores Fab 2, localizado em Yokkaichi, região de Mie, no Japão.
A ampliação do uso de memórias flash em smartphones, SSDs, e outras aplicações estão conduzindo o crescimento contínuo do mercado global de memórias flash. A nova instalação para a Fab 2 fornecerá suporte à conversão da capacidade NAND 2D das empresas em memória flash 3D, permitindo a realização de soluções que ofereçam densidades superiores e melhor desempenho do dispositivo.
A construção da nova Fab 2 começou em setembro de 2014. Após a conclusão da instalação em outubro de 2015, a Toshiba e a SanDisk (adquirida em maio de 2016 pela Western Digital Technologies Inc., uma subsidiária integral da Western Digital Corporation) trabalharam juntas para implementar as capacidades de fabricação de última geração para produção em massa de memórias flash 3D, e a produção da primeira fase começou em março deste ano. As partes pretendem investir ainda mais para expandir a capacidade de produção com o tempo, dependendo das condições de mercado.
Além disso, as operações em Yokkaichi alavancarão o sistema de produção integrado em escala, o qual utiliza o processamento de big data para analisar mais de 1,6 bilhão de pontos de dados diariamente para melhorar ainda mais a eficiência de fabricação e a qualidade da memória flash 3D.
As partes estão comprometidas em trabalhar em conjunto para melhorar o valor que oferecem aos clientes e continuar inovando como líderes de mercado.
Satoshi Tsunakawa, presidente e diretor executivo da Toshiba Corporation, disse: “Tecnologias avançadas destacam nosso comprometimento em responder à demanda contínua como um inovador em memória flash. Estamos melhorando a eficiência de fabricação e a qualidade de nossa instalação de categoria internacional. Com base nisso, também planejamos investir até 860 bilhões de ienes até o ano fiscal de 2018, conforme a situação do mercado. Nosso compromisso é sólido, e temos certeza de que nosso empreendimento conjunto com a Western Digital nos permitirá produzir as próximas gerações de memórias em Yokkaichi a um custo competitivo”.
Steve Milligan, diretor executivo da Western Digital, disse: “Como líder em soluções e em produtos de memória não voláteis, estamos animados em entrarmos na era NAND 3D com nossa parceira, a Toshiba. A nova Fab 2 nos permite começar a conversão de nossa capacidade NAND 2D atual em NAND 3D e continua com a nossa presença duradoura em Yokkaichi, região de Mie, e no Japão”.
Visão geral da nova Fab 2
Estrutura do edifício: Concreto
armado em estrutura de aço de dois níveis, cinco andares
Área de
construção: Aproximadamente 27.600 m2
Início da
construção: Setembro de 2014
Finalização da construção: Julho de
2016
Sobre a Toshiba
A Toshiba Corporation, uma empresa Fortune
Global 500, canaliza recursos de nível internacional em sistemas e
produtos eletrônicos e elétricos avançados em três áreas comerciais
concentradas: Energia que sustenta a vida de todos os dias, que é
mais limpa e mais segura; Infraestrutura que sustenta a qualidade
de vida; e Armazenamento que sustenta a sociedade da informação
avançada. Guiada pelos princípios do Compromisso Básico do Grupo
Toshiba, “Comprometido com as pessoas, comprometido com o futuro”, a
Toshiba promove operações globais e está contribuindo para a realização
de um mundo no qual as próximas gerações possam viver melhor.
Fundada em Tóquio em 1875, a Toshiba de hoje está no centro de uma rede
global com 550 empresas consolidadas, com 188.000 mil funcionários em
todo o mundo e vendas anuais que ultrapassam 5,6 trilhões de ienes
(US$ 50 bilhões). (A partir de 31 de março de 2016)
Para
saber mais sobre a Toshiba, acesse o site www.toshiba.co.jp/index.htm
Sobre a Western Digital
A Western Digital Corporation
(NASDAQ:WDC) é um fornecedor líder do setor de tecnologias de
armazenamento e soluções que permite que as pessoas criem, alavanquem,
experimentem e armazenem dados. A empresa aborda as necessidades de
mercado em constante transformação, fornecendo um portfólio completo de
soluções de armazenamento atraentes e de alta qualidade com inovação
focada no cliente, alta eficiência, flexibilidade e velocidade. Nossos
produtos são comercializados sob as marcas HGST, SanDisk e WD a OEMs,
distribuidores, revendedores, fornecedores de infraestrutura em nuvem e
consumidores. Para mais informações, acesse www.hgst.com,
www.wd.com,
e www.sandisk.com.
Declarações prospectivas da Western Digital
Este comunicado
à imprensa contém declarações prospectivas, incluindo declarações sobre
demanda por memória flash 2D e 3D, proposta de uso da nova Fab 2,
capacidade e desempenho adicionais, investimentos adicionais em
capacidade de produção, melhorias na eficiência de fabricação, aumento
de valor, inovação contínua, posição no mercado e nossa parcerias e
colaborações contínuas e estratégicas. Há vários riscos e incertezas que
podem fazer com que estas declarações prospectivas sejam imprecisas,
incluindo, entre outras: volatilidade das condições econômicas globais;
condições comerciais e crescimento no ecossistema de armazenamento;
impacto dos produtos e preços dos concorrentes; aceitação no mercado e
custo dos materiais de commodities e dos componentes de materiais
especializados; ações de concorrentes; avanços inesperados em
tecnologias concorrentes; nosso desenvolvimento e introdução de produtos
com base em novas tecnologias e expansão para novos mercados de
armazenamento de dados; riscos relacionados com aquisições, fusões e
joint ventures; dificuldades ou atrasos na fabricação; e outros riscos e
incertezas listados nos documentos da empresa com a Comissão de Valores
Mobiliários (Securities and Exchange Commission, SEC), incluindo o
formulário 10-Q da empresa registrado junto à SEC em 9 de maio de 2016,
bem como o formulário 10-Q da SanDisk registrado junto à SEC em 2 de
maio de 2016, para os quais a sua atenção é dirigida. Não temos a
intenção de atualizar as informações contidas neste comunicado.
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