TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha annunciato oggi lo sviluppo di transistor a effetto di campo tunnel (TFET) che utilizzano un nuovo principio operativo per microcontrollori (MCU) a potenza ultrabassa. Questo principio è stato applicato allo sviluppo di due TFET diversi utilizzando un processo compatibile per piattaforma CMOS. Applicando ogni TFET a blocchi di circuito, è possibile ottenere sensibili riduzioni di potenza nei MCU.
Toshiba ha presentato i TFET il 9 e il 10 settembre in tre eventi tenutisi durante il 2014 Solid State Devices and Materials (SSDM) a Tsukuba, Giappone.
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