600V系スーパージャンクションMOSFET DTMOSIV高速ダイオードシリーズの発売について

従来製品からオン抵抗を30%削減、リバースリカバリ時間を約1/3に短縮

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝は、第4世代600V系スーパージャンクションMOSFET「DTMOSIV」（ディーティーモス・フォー）の高速ダイオードシリーズを製品化しました。新製品は、シングルエピタキシャルプロセスの採用により、当社従来製品から約３０％削減した^注１、業界最高レベルのR_ON•A（単位面積あたりのオン抵抗）を実現しました^注２。また、寄生ダイオードの高速化により、当社従来製品に比べ約1/3のリバースリカバリ時間を実現し^注３、損失低減によって電源効率の改善に貢献します。

注１ 前シリーズ「DTMOSIII」と比べて。東芝調べ。
注２ 2013年4月現在。東芝調べ。
注３ 当社従来製品「TK16A60W」と比べて。2013年4月3日現在。東芝調べ。

応用機器

スイッチング電源、マイクロインバータ、アダプタ、太陽光インバータ

新製品の主な特長

（１）R_ON・Aを当社従来製品(DTMOSIIIシリーズ)比で30%削減。

（２）寄生ダイオードの高速化によりリバースリカバリ時間が当社従来製品に比べて約1/3に短縮。

（３）シングルエピタキシャルプロセスの採用により高温時のオン抵抗、リカバリ時間の上昇が小さい

（４）幅広いオン抵抗ラインアップ: 0.65～0.074Ω

（５）多様なパッケージラインアップ

新製品の主な仕様
品番	絶対最大定格		RDS(ON) Max (Ω)	Qg Typ. (nC)	Ciss Typ. (pF)	trr Typ. (ns)	パッケージ
	VDSS (V)	ID (A)	VGS=10V
TK16A60W5	600	15.8	0.23	43	1350	100	TO-220SIS
TK31J60W5	600	30.8	0.099	105	3000	135	TO-3P(N)
TK39J60W5	600	38.8	0.074	135	4100	150	TO-3P(N)

新製品のさらに詳しい仕様については下記ページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/transistor/selection/topics/1267582_2006.html

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