TOKIO (Japan)--(BUSINESS WIRE)--Als neueste Ergänzung ihrer TO-220SIS-Modulserie für die Anwendung in der Automobilindustrie hat die Toshiba Corporation (TOKYO:6502) einen Leistungs-MOSFET mit geringem Einschaltwiderstand auf den Markt gebracht. Das neue Produkt, „TK80A04K3L“, erreicht darüber hinaus einen geringen Kriechstrom und gewährleistet einen Betrieb bei 175 °C. Während es primär für die Verwendung in der Automobilbranche vorgesehen ist, kann es auch in Motorantrieben und Schaltreglern genutzt werden.
| Polarität | Teilenummer |
Drain-Source-Spannung |
Drainstrom |
Serie | ||||
| Nch | TK80A04K3L | 40 | 80 | U-MOS IV | ||||
| Die wichtigsten Funktionen | ||
| 1. | Geringer Einschaltwiderstand (VGS = 10 V) | |
| RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) | ||
| 2. | Geringer Kriechstrom IDSS = 10 μA (max.) (VDS = Nennspannung) | |
| 3. | Tch = 175 °C garantiert | |
| 4. | Zuleitungstyp Modul TO-220SIS | |
*Weitere Informationen zu diesem Produkt finden Sie unter dem folgenden
Link:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267638_2470.html
| Die Informationen in diesem Dokument, einschließlich der Produktpreise und Produktbeschreibungen, der Leistungsinhalte und der Kontaktdaten, entsprechen zum Veröffentlichungsdatum dieser Mitteilung zwar dem neuesten Stand, können jedoch ohne vorherige Ankündigung geändert werden. |
Über Toshiba
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