TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (Sede central: Tokio; Presidente: Yasuhiko Saitoh) ha determinado que el sustrato QST® (Qromis Substrate Technology) es un material esencial para la aplicación social de dispositivos de potencia GaN (nitruro de galio) de alto rendimiento y eficiencia energética. La empresa promoverá el desarrollo y la introducción en el mercado de estos productos.
Dado que el sustrato QST® está diseñado para tener el mismo coeficiente de expansión térmica (CTE) que el GaN, permite suprimir el deformado y el agrietamiento de la capa epitaxial de GaN. El resultado es un crecimiento epitaxial de GaN de gran diámetro y gran calidad de espesor.
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