Transphorm stellt SuperGaN™ Power FETs mit Einführung der Gen IV GaN-Plattform vor

Neueste Hochspannungs-Galliumnitrid-Bauelemente bieten verbesserte Leistung und leichtere Designbarkeit bei reduzierten Kosten

GOLETA, Kalifornien--()--Transphorm Inc.— der Marktführer im Design und in der Herstellung hochzuverlässiger und der ersten Galliumnitrid (GaN)-Halbleiter nach JEDEC- und AEC-Q101 – gab heute die Verfügbarkeit seiner „Gen IV GaN“-Plattform bekannt. Transphorms neueste Technologie bietet im Vergleich zu den vorherigen GaN-Generationen bemerkenswerte Fortschritte bei Leistung, Design und Kosten. In diesem Zusammenhang kündigte Transphorm heute außerdem an, dass Gen IV und künftige Plattformgenerationen als SuperGaN™-Technologien bezeichnet werden.

Das erste JEDEC-qualifizierte SuperGaN-Bauelement wird der TP65H300G4LSG sein, ein 240 mΩ 650 V GaN-FET in einem PQFN88-Gehäuse. Das zweite SuperGaN-Bauelement ist der TP65H035G4WS, ein 35 mΩ 650 V GaN-FET in einem TO-247-Gehäuse. Diese Geräte befinden sich derzeit in der Erprobung und werden in Q2 bzw. Q3 verfügbar sein. Zu den Zielanwendungen gehören Adapter, Server, Telekommunikation, allgemeine Industrieanwendungen und erneuerbare Energien. Systemdesigner können die Technologie in der brückenlosen 4 kW Totem-Pol-AC-DC-Evaluierungsplatine von Transphorm, dem TDTTP4000W066C-KIT, beurteilen.

Der SuperGaN-Technologie-Unterschied

Bei der Entwicklung von Gen IV stützte sich das Ingenieursteam von Transphorm auf die Erkenntnisse aus den Produktionsanläufen früherer Produkte, gepaart mit einem konstanten Bestreben nach Performance, Herstellbarkeit und Kostenreduzierung, um ein neues Produkt mit ultimativer Einfachheit und substanziellen Verbesserungen zu entwerfen. Die patentierte Technologie der neuen Plattform bietet Vorteile, die die intrinsische GaN-Performance und Einfachheit von Transphorm sowohl bei der Montage als auch bei den Anwendungen erhöhen. Dies ist der Katalysator für die Marke SuperGaN™.

Zu den Vorteilen von SuperGaN Gen IV, die durch die patentierte Technologie getrieben werden, gehören:

  • Gesteigerte Performance: Gen IV bietet eine flachere und höhere Effizienzkurve mit einem um ca. 10 Prozent verbesserten Gütemaß (RON*QOSS).
  • Leichtere Designbarkeit: Gen IV bietet eine einfachere Design-In-Entwicklung durch den Wegfall der Notwendigkeit eines Schaltknoten-Dämpfers bei hohen Betriebsströmen.
  • Verbesserte Einschaltstrombelastbarkeit (di/dt): Bei der Gen IV werden die Schaltstromgrenzen für die eingebaute Freilaufdiodenfunktion in Halbbrücken aufgehoben.
  • Reduzierte Gerätekosten: Die Design-Innovationen und die patentierte Technologie der Gen IV vereinfachen außerdem die Gerätemontage. Die daraus resultierenden Kostensenkungen führen zu einer weiteren Annäherung von Transphorms GaN an die Preise für Siliziumtransistoren.
  • Bewährte Robustheit/Zuverlässigkeit: Die 35 mΩ FETs der Gen IV bieten die gleiche Gate-Stabilität von +/- 20 Vmax und Rauschunempfindlichkeit von 4 V, die derzeit von den Gen-III-Bauelementen von Transphorm geliefert werden.

„Wir erwarten, dass die SuperGaN™-FETs von Transphorm weiterhin die Leistungselektronik der nächsten Generation so beeinflussen werden, wie es die Entwicklung der Silizium-Superjunction-MOSFETs getan hat“, sagte Philip Zuk, VP für weltweites technisches Marketing und NA-Vertrieb bei Transphorm. „Unsere Gen-IV-GaN-Plattform schafft neue Designmöglichkeiten in anderen Leistungsstufen durch bessere Leistung bei gleichzeitiger Erhöhung des Gesamt-ROI der Kunden. Unsere Fähigkeit, Verluste zu verringern und die anfängliche Bauelementinvestition näher an das heranzubringen, was die Kunden von Silizium gewohnt sind, ohne Abstriche bei der Zuverlässigkeit zu machen, ist ein weiterer Indikator dafür, dass die Position von GaN auf dem Markt gefestigt wird.“

Über Transphorm Inc.

Transphorm Inc. (www.transphormusa.com) ist weltweit eines der führenden Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution und konstruiert und fertigt GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen mit Hochspannung. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios ist Transphorm das erste Unternehmen der Branche, das GaN-FETs mit Qualifizierung nach JEDEC und AEC-Q101 produziert. Sein Geschäftsansatz mit vertikal integrierten Geräten lässt Innovationen in jeder Phase der Entwicklung zu: Gestaltung, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Twitter: @transphormusa

Die SuperGaN-Marke ist eine eingetragene Marke von Transphorm, Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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Heather Ailara
211 Communications
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heather@211comms.com

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