東芝的新型100V N溝道功率MOSFET有助於降低汽車設備的功耗

- 推出採用東芝最新一代製程的U-MOS X-H系列 -

Toshiba: New 100V N-channel power MOSFET “XK1R9F10QB” for automotive equipment. (Photo: Business Wire)

東京--()--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)發布XK1R9F10QB,這是一款100V N溝道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET),適用於汽車的48V設備應用,例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。

這款新產品是東芝採用溝槽結構的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款產品,採用該公司的最新[1]一代製程製造。它採用低電阻TO-220SM(W)封裝安裝,提供業界領先的低導通電阻[2],最大導通電阻為1.92mΩ,與當前的TK160F10N1L相比下降約20%。這一進步有助於降低設備功耗。由於電容特性得到最佳化,它還提供更低的開關雜訊,從而有助於降低設備的EMI[3]。 此外,將閾值電壓寬縮小至1V,可以增強並聯時的開關同步性。

應用場合
汽車設備(負載開關、開關電源和馬達驅動等)

特性
・採用溝槽結構的U-MOS X-H系列MOSFET
・業界領先的低導通電阻
  VGS=10V時,RDS(ON)=1.92mΩ(最大值)
・符合AEC-Q101要求

主要規格

(Ta=25°C時)

產品型號

極性

絕對最大額定值

漏源

導通電阻

RDS(ON)最大值

(mΩ)

溝道

到管殼的熱阻

Zth(ch-c)

最大值

(℃/W)

封裝

系列

漏源電壓

VDSS

(V)

漏電流

(直流)

ID

(A)

電流

(脈衝)

IDP

(A)

溝道溫度

Tch

(℃)

VGS

=6V時

VGS

=10V時

XK1R9F10QB

N溝道

100

160

480

175

3.31

1.92

0.4

TO-220SM(W)

U-MOS X-H

注:
[1] 截至2020年2月25日
[2] 與具有相同VDSS最大額定值和封裝等級的產品進行比較;根據東芝調查,截至2020年2月25日。
[3] EMI(電磁干擾)

如需有關新產品的更多資訊,請按以下連結。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/detail.XK1R9F10QB.html

如需有關東芝汽車用MOSFET的更多資訊,請按以下連結。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/automotive/automotive-mosfet.html

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