东芝用于电压谐振电路的新型分立IGBT有助于降低功耗并简化设备设计

Toshiba: a 1350V discrete IGBT "GT20N135SRA" for use in voltage resonance circuits in tabletop IH cookers and other home appliances. (Photo: Business Wire)

东京--()--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)已推出一款1350V分立式绝缘栅双极型晶体管(IGBT) “GT20N135SRA”,适用于台式电磁感应加热(IH)炊具、IH电饭煲、微波炉及其他家用电器的电压谐振电路。即日起出货。

GT20N135SRA的集电极-发射极饱和电压[1]为1.75V,二极管正向电压[2]为1.8V,分别比当前产品[3]低约10%和21%。IGBT和二极管在高温(TC=100℃)下均具有改良型传导损耗特性,新型IGBT可帮助降低设备功耗。它还具有0.48℃/W(最大值)的结到外壳热阻,比当前产品[3]低约26%,从而简化热设计。

新型IGBT可抑制设备开启时流过谐振电容器的短路电流。其电路电流[4]峰值为129A,比当前产品[3]降低约31%。随着安全操作范围的扩大,与当前产品[3]相比,它让设备设计变得更加轻松。

应用场合

使用电压谐振电路的家用电器(例如台面式IH炊具、IH电饭煲和微波炉)

特性

  • 低传导损耗:
    V CE(饱和)= 1.6V(典型值)(IC = 20A、VGE = 15V、Ta = 25℃时)
    VF = 1.75V(典型值)(IF = 20A、VGE = 0V、Ta = 25℃时)
  • 低结到外壳热阻:Rth(结到外壳)= 0.48℃/W(最大值)
  • 抑制设备开启时流过谐振电容器的短路电流。
  • 广泛的安全操作范围

主要规格

(除非另有说明,Ta=25 °C时)

产品名称

封装

绝对最大额定值

集电极-发射极饱和电压

VCE(饱和)

典型值

IC=20A、

VGE=15V时

(V)

二极管正向电压

VF

典型值

IF=20A、

VGE=0V时

(V)

切换时间

(衰减时间)

tf

典型值

电阻负载时

(μs)

结到外壳热阻

Rth(结到外壳)

最大值

(℃/W)

集电极-发射极电压

VCES

(V)

集电极电流

(直流)

IC

@TC=25℃

(A)

集电极电流

(直流)

IC

@TC=100℃

(A)

结温度

Tj

(℃)

GT20N135SRA

TO-247

1350

40

20

175

1.60

1.75

0.25

0.48

注释:
[1] 截至2019年6月,东芝测得值。(测试条件:IC = 20A,VGE = 15V,TC = 100℃)
[2] 截至2019年6月,东芝测得值。(测试条件:IF = 20A,VGE = 0V,TC = 100℃)
[3] 东芝的当前产品“GT40RR21”
[4] 截至2019年6月,东芝测得值。(测试条件:VCC = 300V,VGG = 15V,C =0.33μF,t =5μs,Ta = 25℃)

有关新产品的更多信息,请关注以下链接。
GT20N135SRA
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=GT20N135SRA

有关东芝IGBT产品系列的更多信息,请关注以下链接。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/igbt-iegt/igbt.html

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