Kioxia desenvolve nova estrutura celular de memória flash semicircular 3D “Twin BiCS FLASH”

- Utilizando a nova tecnologia Split-Gate para aumentar a densidade de bits -

Simulated Vt distributions after programming using calibrated parameters (Graphic: Business Wire)

TÓQUIO--()--A Kioxia Corporation anunciou hoje o desenvolvimento da primeira[1] estrutura celular com memória flash de porta dividida semicircular tridimensional (3D) “Twin BiCS FLASH” usando células de porta flutuante (Floating Gate, FG) semicirculares especialmente projetadas. O Twin BiCS FLASH alcança uma inclinação superior do programa e uma janela maior de programa/apagamento com um tamanho de célula muito menor em comparação com as células convencionais de captura de carga (Charge Trap, CT) circular. Esses atributos tornam esse novo design de célula um candidato promissor a superar quatro bits por célula (Quad Level Cell, QLC) para obter uma densidade de memória significativamente maior e menos camadas de empilhamento. Essa tecnologia foi anunciada na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), realizada em 11 de dezembro em São Francisco, Califórnia.

A tecnologia de memória flash 3D alcançou alta densidade de bits com baixo custo por bit, aumentando o número de camadas empilhadas de células e implementando a deposição de pilhas multicamadas e a gravação de alta relação de aspecto. Nos últimos anos, conforme o número de camadas de células ultrapassava 100, gerenciar as compensações entre o controle do perfil de gravação, uniformidade de tamanho e produtividade estava se tornando cada vez mais desafiador. Para superar esse problema, a Kioxia desenvolveu um novo design de célula semicircular dividindo o eletrodo de porta na célula circular convencional para reduzir o tamanho da célula em comparação com a célula circular convencional, permitindo uma memória com maior densidade com um número menor de camadas celulares.

A porta de controle circular fornece uma janela maior do programa com problemas de saturação relaxada quando comparada com uma porta plana devido ao efeito de curvatura, em que a injeção do transportador através do dielétrico do túnel é aprimorada enquanto o vazamento de elétrons no dielétrico do bloco (BLK) é reduzido. Nesse projeto de célula com porta dividida, a porta de controle circular é simetricamente dividida em duas portas semicirculares para tirar proveito da forte melhoria na dinâmica do programa/apagamento. Como mostrado na Fig. 1, a camada de armazenamento condutivo é empregada para obter alta eficiência de captura de carga em conjunto com os dielétricos BLK de alto k, atingindo uma alta taxa de acoplamento para obter a janela do programa e um vazamento de elétrons reduzido do FG, aliviando o problema de saturação. As características experimentais de programa/apagamento na Fig. 2 revelam que as células FG semicirculares com o BLK baseado em alto k exibem ganhos significativos na inclinação do programa e na janela programa/apagamento sobre as células CT circulares de tamanho maior. Espera-se que as células FG semicirculares, com características superiores de programa/apagamento, obtenham distribuições QLC Vt comparativamente ajustadas em pequenas células. Além disso, a integração do canal Si com baixa captura permite mais de quatro bits/célula, por exemplo, célula de nível penta (Penta-Level-Cell, PLC), como mostrado na Fig. 3. Esses resultados confirmam que as células FG semicirculares são uma opção viável para buscar maior densidade de bits.

Indo além, os esforços de pesquisa e desenvolvimento da Kioxia voltados à inovação em memória flash incluirão o desenvolvimento contínuo do Twin BiCS FLASH e a busca de suas aplicações práticas. No IEDM 2019, a Kioxia também anunciou outros seis trabalhos que destacam as atividades intensivas de P&D da empresa na área de memória flash.

[1] Fonte: Kioxia Corporation, 12 de dezembro de 2019.

Sobre a Kioxia
A Kioxia é líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (Solid State Drive, SSD). Em abril de 2017, a Toshiba Memory, sua antecessora, foi desmembrada da Toshiba Corporation, empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia está comprometida em elevar o mundo com memória, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor baseado em memória para a sociedade. A BiCS FLASH™, tecnologia inovadora de memória flash em 3D da Kioxia, está definindo o futuro do armazenamento em aplicativos de alta densidade, inclusive em smartphones avançados, PCs, SSDs, automóveis e centros de dados.

O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.

Contacts

Kioxia Holdings Corporation
Kota Yamaji
Relações públicas
Tel.: +81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

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