Transphorm distribuye más de medio millón de dispositivos de energía GaN para aplicaciones de varios kilovatios

La creciente adopción de los productos de la compañía va acompañada de una mayor fiabilidad de campo de su plataforma GaN

GOLETA, California--()--Transphorm Inc., líder en el diseño y fabricación del primer y más fiable semiconductor de nitruro de galio (GaN) certificado por JEDEC y AEC-Q101 del mundo, ha suministrado más de 500 000 transistores de efecto de campo (Field Effect Transistor, FET) GaN de alto voltaje. La compañía alcanza este hito a medida que los clientes continúan adoptando su plataforma GaN de alta fiabilidad y calidad.

Adopción de soluciones de alto voltaje GaN

Los clientes de los grandes mercados industriales, de infraestructura y Ti y de videojuegos para PC han anunciado públicamente que los dispositivos en producción se fabrican con la tecnología GaN de Transphorm.

El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal.

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Heather Ailara
211 Communications
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