東芝記憶體公司推出嵌入式應用的新型NAND快閃記憶體產品,以支援高速資料傳輸

新加入到產品陣容中的第二代序列介面NAND產品具有更高的性能和容量

Toshiba Memory Corporation: Second-generation Serial Interface NAND Products (Photo: Business Wire)

東京--()--(美國商業資訊)--全球記憶體解決方案領導者東芝記憶體公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布,該公司已推出其第二代NAND快閃記憶體產品系列,這些產品具有更高的性能和容量[1],適用於嵌入式應用,可支援高速資料傳輸。新推出的序列介面NAND產品與廣泛使用的串列週邊介面(SPI)相容,適用於各種消費、工業和通訊應用。樣品於即日起出貨,計畫從10月開始量產。

隨著元件在物聯網和通訊應用中的體積逐漸縮小,對小型封裝的大容量快閃記憶體的需求則日益成長,而小型封裝能夠以低引腳數量處理高速資料傳輸。由於與廣泛使用的SPI相容,這些序列介面NAND產品可以用作低引腳數、小型封裝和大容量的SLC NAND快閃記憶體產品。

為了能夠支援高速資料傳輸,新的第二代序列介面NAND產品提供高於現有第一代產品[1]的性能,包括133兆赫(MHz)的工作頻率和程式x4模式。此外,該系列還增加了8Gb(十億位元組)[2]元件,以滿足對更大儲存容量的需求。

新產品概況

產品名稱

容量

輸入/輸出

電壓

封裝

量產時間

TC58CVG0S3HRAIJ

1Gb

 

1倍、2倍、4倍

 

 

3.3V

8引腳

WSON[3]

(6mm x 8mm)

2019年10月

TC58CYG0S3HRAIJ

1.8V

2019年10月

TC58CVG1S3HRAIJ

2Gb

 

3.3V

2019年10月

TC58CYG1S3HRAIJ

1.8V

2019年10月

TC58CVG2S0HRAIJ

4Gb

 

3.3V

2019年10月

TC58CYG2S0HRAIJ

1.8V

2019年10月

TH58CVG3S0HRAIJ

8Gb

3.3V

2019年12月

TH58CYG3S0HRAIJ

1.8V

2019年12月

主要特點

容量

1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb

分頁大小

2KByte (1Gb, 2Gb),4KByte (4Gb, 8Gb)

介面

串列週邊設備介面型號0,型號3

供電電壓

2.7至3.6V,1.7至1.95V

工作溫度範圍

-40 oC至85 oC

特性

• 133MHz工作頻率

• 程式 / 讀取x4模式

• 高速循順讀取功能

• ECC功能(開/關,位元轉換計數報告)

• 資料保護功能(能夠保護特定的區塊)

• 參數分頁功能(能夠在元件上輸出詳細的資訊)

注釋
[1] 與東芝記憶體公司現有的第一代序列介面NAND產品相比。東芝記憶體調查。
[2] 產品容量是根據產品內儲存晶片的容量而不是使用者可用於資料儲存的記憶體容量來確定的。由於額外負荷資料區域、格式、瑕疵區塊和其他限制,消費者可使用的容量會變少,並且還會因主機設備和應用程式而異。如需詳細資訊,請參閱適用的產品規格。
[3] WSON:超薄小外形無鉛封裝

* 本文提及的所有公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

客戶詢問:
東芝記憶體公司
記憶體銷售和行銷部
電話:+81-3-6478-2412
https://business.toshiba-memory.com/en-jp/contact.html

本新聞稿中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況,如有變動,恕不另行通知。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒體詢問:
東芝記憶體公司
銷售策略規劃部
Koji Takahata
電話:+81-3-6478-2404

Contacts

媒體詢問:
東芝記憶體公司
銷售策略規劃部
Koji Takahata
電話:+81-3-6478-2404