Toshiba Memory dévoile une nouvelle technologie pour dispositifs à mémoire NVMe amovibles offrant un rapport taille/performances révolutionnaire

La technologie XFMEXPRESS™ redéfinit le stockage pour les applications ultra-mobiles et intégrées, grâce à une combinaison puissante de taille, de performance et de facilité d’entretien

TOKYO--()--Toshiba Memory Corporation, le leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd’hui XFMEXPRESS™, une nouvelle technologie pour les dispositifs à mémoire NVMe™ fixés à PCIe® amovibles. Avec un nouveau facteur de forme et un connecteur innovant, la technologie XFMEXPRESS offre une combinaison inégalée de fonctionnalités conçues pour révolutionner les PC ultra-mobiles, les appareils IdO et diverses applications intégrées. Conscient du besoin à combler d’une nouvelle classe de stockage amovible, Toshiba Memory a tiré parti de son vaste savoir-faire en matière de conceptions de mémoire à boîtier unique, pour développer la technologie XFMEXPRESS et offrir ces fonctionnalités clés :

Une facilité d’entretien qui change la donne
Mettant la facilité d’entretien à l’avant-plan, la technologie XFMEXPRESS valide une nouvelle catégorie de dispositifs à petite mémoire et disques durs SSD, faciles à entretenir ou à mettre à niveau. En combinant un boîtier robuste et compact avec la flexibilité et la fonctionnalité d’une mémoire amovible, la technologie XFMEXPRESS permettra de réduire les obstacles techniques et les limitations en matière de conception.

Une empreinte propice à la mobilité
La taille sans compromis et la discrétion du facteur de forme XFMEXPRESS (14 mm x 18 mm x 1,4 mm) donnent une empreinte de 252 mm2 [1], ce qui optimise l’espace de pose pour les appareils hôtes ultra-compacts sans nuire à la performance ou à la facilité d’entretien. Grâce à cette hauteur z minimisée, le facteur de forme XFMEXPRESS est excellent pour les portables minces et légers, et crée des possibilités inédites de conception pour les applications et les systèmes nouvelle génération.

Une performance de pointe
Conçue pour la vitesse, la technologie XFMEXPRESS met en œuvre une interface NVMe 1.3 PCIe 3.0 à 4 voies (4V), prenant en charge une bande passante théorique pouvant atteindre 4 Go/s dans chaque direction, et 8 Go/s dans chaque direction pour les cas d’utilisation nouvelle génération[2]. Les capacités de performance et le facteur de forme durable, leaders du secteur, qui caractérisent la technologie XFMEXPRESS constituent une alternative probante au statu quo, et offrent des expériences de premier ordre en matière d’informatique et de divertissement.

Une conception flexible, à l’épreuve du temps
La technologie XFMEXPRESS offre la flexibilité et l’évolutivité nécessaires pour résister à l’épreuve du temps. Elle est compatible PCIe 3.0 et 4.0, peut être configurée avec 2V ou 4V, et est conçue pour déployer des tailles de mémoire flash 3D actuelles et futures, garantissant que les produits dotés du facteur de forme XFMEXPRESS puissent évoluer en fonction du marché.

Un connecteur innovant
La conception unique de la technologie XFMEXPRESS offre une fonctionnalité et une robustesse optimisée, ainsi qu’un connecteur sur mesure pour améliorer la facilité d’emploi et l’efficacité thermique.

Toshiba Memory fait la démonstration d’une solution XFMEXPRESS en direct, au Flash Memory Summit de Santa Clara, en Californie, du 6 au 8 août au stand n° 307. Pour en savoir plus, rendez-vous sur https://business.toshiba-memory.com/en-jp/product/memory/xfmexpress/.

(1) lecteur de 22,2 mm x 17,75 mm x 2,2 mm + connecteur
(2) Vitesses théoriques basées sur une spécification PCIe de 8 GT/s par voie sur PCIe 3.0, et 16 GT/s par voie sur PCIe 4.0. Toshiba Memory Corporation définit un gigaoctet (Go) comme étant équivalent à 1 000 000 000 octets.

  • PCIe est une marque déposée de PCI-SIG.
  • NVMe est une marque commerciale de NVM Express, Inc.
  • Tous les autres noms de société, de produits et de services peuvent constituer des marques de commerce de leurs sociétés respectives.

À propos de Toshiba Memory
Le Toshiba Memory Group, un leader mondial en solutions de mémoire, se consacre au développement, à la production et à la vente de mémoires flash et de disques durs (SSD). En avril 2017, Toshiba Memory s’est séparée par essaimage de Toshiba Corporation, la société qui a inventé la mémoire flash NAND en 1987. Toshiba Memory est pionnière des services et solutions de mémoire, d’avant-garde, visant à enrichir la vie des individus et élargir les horizons de la société. La technologie de mémoire flash 3D innovante de la société, BiCS FLASH™, ouvre la voie vers le perfectionnement du stockage d’applications à haute densité, notamment les téléphones intelligents, les ordinateurs, les disques durs SSD, les produits automobiles et centres de données les plus puissants. Toshiba Memory changera officiellement son nom pour s’appeler Kioxia le 1er octobre 2019. Pour plus d’informations sur Toshiba Memory, veuillez consulter https://business.toshiba-memory.com/en-jp/.

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Toshiba Memory Holding Corporation
Kota Yamaji
Relations publiques et investisseurs
Téléphone : +81-3-6478-2319
tmchq-tmchd-info@ml.toshiba.co.jp

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