Transphorm gibt einen Vertrag über 18,5 Millionen Dollar vom Büro für Marineforschung (Office of Naval Research) bekannt, um eine heimische Quelle für Galliumnitrid-Epiwafer zu schaffen

Projekt zur Herstellung des ersten kommerzialisierten Stickstoff-polaren GaN für HF/mm-Wellen für das DoD/5G

GOLETA, Kalifornien--()--Transphorm Inc.—der Marktführer bei der Entwicklung und Herstellung von hochzuverlässigen Hochspannungs (High-Voltage, HV)-Galliumnitrid (GaN)-Halbleitern—gab heute bekannt, dass das Büro für Marineforschung (Office of Naval Research, ONR) des U.S. Verteidigungsministeriums (Department of Defense, DoD) eine dreijährige 15,9-Millionen-Dollar-Option auf einen bestehenden 2,6-Millionen-Dollar-Basisvertrag mit dem Unternehmen ausgeübt hat. Dieser Vertrag, N68335-19-C-0107, wird von der Luftfahrtabteilung des Marineluftkampfzentrums (Naval Air Warfare Center Aircraft Division) in Lakehurst verwaltet und etabliert Transphorm als eine in den USA ansässige Produktionsquelle und als Lieferant von GaN-Epiwafern für das DoD und kommerzielle Hochfrequenz-(HF)/Millimeterwellen-(mm-Wellen) sowie Energieelektronik-Anwendungen. Die Vergabe umfasst ein Basisprogramm für die Entwicklung von Schlüsseltechnologien und ein Optionsprogramm zum Aufbau von Produktionskapazitäten.

Das Hauptziel des Programms ist die Kommerzialisierung von Stickstoff-polarem (N-polarem) GaN, einer bahnbrechenden Technologie jenseits des etablierten Ga-polaren GaN. N-polares GaN verspricht die kontinuierliche Weiterentwicklung der GaN-basierten Elektronik in der heutigen HF-Elektronik und in zukünftigen Energiewandlungssystemen. Die Technologie wurde unter mit Förderung von ONR und DARPA an der University of California, Santa Barbara (UCSB), vom Team von Professor Umesh Mishra, dem renommierten Professor an der UCSB und Mitbegründer, CTO und Vorsitzenden von Transphorm, entwickelt.

„Die N-polare Ausrichtung des Materials ist umgekehrt im Vergleich zu dem traditionellen Ga-polaren GaN, das derzeit in Basisstationen und DoD-Anwendungen weit verbreitet ist. Die Umkehrung bringt radikale Vorteile bei der Ausgangsleistung und bahnbrechende Wirkungsgrade bei Frequenzen bis zu 94 GHz“, sagt Dr. Mishra. „Anwendungen decken den gewünschten Frequenzbereich für 5G, 6G und darüber hinaus ab und schließen ebenfalls eine kritische technologische Lücke für DoD-Systeme.“

Bei 94 GHz hat das UCSB-Team von Mishra mm-Wellen-Geräte mit Rekordleistungsdichten und hohen Wirkungsgraden vorgestellt. Diese Geräte vereinfachen HF-Elektroniksysteme, indem sie durch die Kombination mehrerer Komponenten und Geräte den Stromverbrauch reduzieren und gleichzeitig die Kühlsysteme vereinfachen, was letztendlich zu einer höheren Leistung bei geringeren Kosten führt.

Nutzung der etablierten MOCVD/GaN Epi-Fähigkeit von Transphorm

Transphorm ist derzeit in der Produktion für mehrere Kunden tätig und gilt als führender Anbieter von hochwertigen und zuverlässigen (Q+R) HV-GaN-FETs. Der Erfolg des Unternehmens wird durch einen vertikal integrierten Geschäftsansatz, Fachwissen, geistiges Eigentum und insbesondere durch eine solide MOCVD-Epi-Wachstumsplattform mit Produktionskapazitäten getragen. Mit diesem ONR-Programm wird das Unternehmen die Epi-Fähigkeit auf mehreren Plattformen, darunter SiC-, Si- und Saphirsubstrate im Bereich von 4-Zoll- bis 6-Zoll- und letztlich 8-Zoll-Wafern, untersuchen. Im HF- und mm-Wellenbereich wird Transphorm als reiner Epiwafer-Lieferant dienen, der sich ausschließlich auf GaN-Materialien konzentriert.

„Wir freuen uns auf die Partnerschaft mit dem ONR und dem DoD, um unsere leistungsstarken GaN HEMT Patente- und Epitaxiekapazitäten zu kommerzialisieren, insbesondere durch die bahnbrechenden N-polaren und Ga-polaren Materialien auf verschiedenen Substraten, einschließlich Siliziumkarbid, Saphir und Silizium“, so Primit Parikh, Mitbegründer und COO von Transphorm. „Dies ermöglicht es Transphorm, einen angrenzenden vertikalen Markt zu erreichen, den Epiwafer-Umsatz für DoD-Kunden und schnell wachsende HF/5G-Märkte. Wir sehen bereits eine Nachfrage und freuen uns, in weniger als 36 Monaten vom Einkauf zur Produktion zu gelangen, ein wichtiges Programmziel.“

Wie bei allen GaN-Produkten von Transphorm werden auch hier die Epiwafer-Angebote auf folgende Weise unterstützt:

  • Schnelle Entwicklung
  • Skalierbarkeit der Produktion
  • Gleichmäßige, hochergiebige Waferprodukte
  • Fertigung mit statistischer Prozesskontrolle

Verfügbarkeit

Anfragen bezüglich der Epiwafer richten Sie bitte an Dr. Ron Birkhahn, Direktor MOCVD, Transphorm (epi@transphormusa.com).

Designressourcen und Unterstützung

  • Ga-polare und N-polare GaN-Basislinienprozesse auf mehreren Substraten mit unterschiedlichen Durchmessern
  • Umfassende Palette von Charakterisierungsgeräten für GaN-Epiwafer
  • MOCVD-Experten zur Anpassung an spezifische Kundenanforderungen

Willkommen bei der GaN-Revolution!

Transphorm konstruiert und fertigt 650-V- und 900-V-GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen mit Hochspannung. Transphorm verfügt über das größte IP-Portfolio (mehr als 1000 erteilte und angemeldete Patente weltweit) und produziert die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101- qualifizierten GaN-FETs. Dies beruht auf dem vertikal integrierten Geschäftsansatz, der Innovationen in jeder Phase der Entwicklung zulässt: Gestaltung, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Transphorm: Leistungselektronik, die über die Begrenzungen von Silicium hinausgeht. Website: transphormusa.com Twitter: @transphormusa

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Heather Ailara
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heather@211comms.com

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