Transphorm annonce la signature d'un contrat de 18,5 millions USD avec l'Office de la recherche navale pour la création d'une source nationale d’épiwafers au nitrure de gallium

Projet de production commercialisée du premier GaN azoté polaire pour onde RF/mm destiné au DoD et à la 5G

GOLETA, Californie--()--Transphorm Inc., le leader dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs à base de nitrure de gallium (GaN) à haute tension et à la plus haute fiabilité, a annoncé aujourd'hui que l'Office de la recherche navale (Office of Naval Research, ONR) du département américain de la Défense (Department of Defense, DoD) a mis en œuvre une option de 15,9 millions USD sur trois ans dans le cadre d’un contrat de base existant de 2,6 millions USD avec la société. Administré par la division des aéronefs du Naval Air Warfare Center à Lakehurst, ce contrat N68335-19-C-0107 établit Transphorm en tant que prestataire américain dédié à la production et à la livraison d’épiwafers (super gaufres) de GaN destinées aux applications du DoD, aux radiofréquences (RF) commerciales, aux ondes millimétriques (ondes mm), et à l'électronique de puissance. Le contrat comprend un programme de base pour le développement de technologies clés et un programme d’options permettant d’établir une capacité de production.

L'objectif principal du programme est de commercialiser le GaN azoté polaire (N-polaire), une technologie révolutionnaire qui surpasse le GaN polaire (Ga-polaire) déjà en place. Le GaN N-polaire offre un potentiel très prometteur pour le développement continu de l'électronique à base de GaN, dans l'électronique RF d'aujourd'hui et dans les futurs systèmes de conversion de puissance. La technologie a été inventée sous le parrainage de l'ONR et de la DARPA (Defense Advanced Research Projects Agency) à l'Université de Californie de Santa Barbara (UCSB) par l'équipe du professeur Umesh Mishra, éminent professeur de l'UCSB et cofondateur, directeur de la technologie et président de Transphorm.

« L'orientation N-polaire du matériau est inversée par rapport au GaN Ga-polaire traditionnel largement utilisé dans les stations de base et les applications du DoD. Le procédé offre des avantages radicaux en termes de puissance de sortie, ainsi qu'une efficacité révolutionnaire à des fréquences atteignant 94 GHz », a déclaré le Dr Mishra. « Les applications couvrent la gamme de fréquences d’intérêt pour la 5G, la 6G et au-delà, et remplissent également un vide technologique critique pour les systèmes du DoD. »

À 94 GHz, l'équipe UCSB du professeur Mishra a présenté des dispositifs à ondes millimétriques dotés d'une densité de puissance record et de rendements élevés. Ces dispositifs simplifient les systèmes électroniques RF en réduisant la nécessité de combiner plusieurs composants et dispositifs, tout en simplifiant les systèmes de refroidissement, ce qui se traduit par une performance supérieure à un coût réduit.

Exploiter la surcapacité bien établie des systèmes MOCVD/GaN de Transphorm

Actuellement en production chez plusieurs clients, Transphorm est l'un des principaux fournisseurs de FET HV GaN haute qualité et haute fiabilité (Q+R). Le succès de la société repose sur une approche commerciale intégrée verticalement, une expertise, une propriété intellectuelle et, en particulier, sur une solide plateforme de surcroissance MOCVD offrant une production à grande échelle. Avec ce programme ONR, la société gèrera la surcapacité sur plusieurs plateformes, y compris des substrats en SiC, Si et Sapphire allant de 4 à 6 pouces et finalement des gaufres de 8 pouces. Dans le domaine des RF et des ondes millimétriques, Transphorm deviendra un prestataire d’épiwafers non diversifié et entièrement axé sur les matériaux GaN.

« Nous sommes ravis de nous associer à l'ONR et au DoD pour commercialiser notre technologie GaN HEMT IP haute performance et nos capacités épitaxiales via les matériaux révolutionnaires N-polaires et Ga-polaires sur divers substrats, notamment le carbure de silicium, le saphir et le silicium », a déclaré Primit Parikh, cofondateur et directeur de l'exploitation, chez Transphorm. « Cela permet à Transphorm de développer une verticale adjacente, celle des ventes d’épiwafers pour les clients du DoD et les marchés RF / 5G en croissance rapide. Nous constatons déjà une demande et sommes impatients de passer de l'achat à la production en moins de 36 mois, un objectif clé du programme. »

Comme pour tous les produits Transphorm GaN, les offres d’épiwafers seront soutenues par :

  • Un développement rapide
  • Une production évolutive
  • Des plaquettes uniformes à haut rendement
  • Un procédé de fabrication sous contrôle statistique

Disponibilité

Les demandes d’information concernant les épiwafers doivent être adressées au Dr Ron Birkhahn, directeur du MOCVD, chez Transphorm (epi@transphormusa.com).

Ressources de conception et support

  • Processus de base du GaN Ga-polaire et du GaN N-polaire sur plusieurs substrats de différents diamètres
  • Suite complète d'équipements de caractérisation des épiwafers GaN
  • Les experts MOCVD s'alignent sur les besoins spécifiques du client

Bienvenue à la révolution GaN !

Transphorm conçoit et fabrique les semi-conducteurs GaN de 650 V et 900 V les plus performants et les plus fiables pour les applications de conversion de puissance à haute tension. Transphorm, qui possède l’un des plus importants portefeuilles IP (plus de 1 000 brevets déjà émis ou en instance dans le monde entier), produit les seuls FET GaN certifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur. Cela grâce à une approche commerciale à intégration verticale permettant d’innover à chaque stade du développement : conception, fabrication, dispositif et prise en charge d’applications. Transphorm : amener l’électronique de puissance au-delà des limites du silicium. Site Web : transphormusa.com Twitter : @transphormusa

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Heather Ailara
211 Communications
P : +1.973.567.6040
heather@211comms.com

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