Transphorm renforce la gamme des GaN 900 V avec un deuxième FET

Nouveaux FET GaN-on-Si Gen III capables d’alimenter des alimentations industrielles triphasées et des convertisseurs automobiles

GOLETA, Californie--()--Transphorm Inc., le leader dans la conception et la fabrication des semi-conducteurs haute tension (high-voltage, HV), les plus fiables, en nitrure de gallium (Gallium Nitride, GaN), a annoncé aujourd’hui son deuxième FET 900 V, le TP90H050WS Gen III qui vient enrichir l’unique gamme de produits GaN 900 V du secteur. Ces dispositifs permettent désormais aux systèmes industriels triphasés et à l’électronique automobile de tension plus élevée, de tirer parti de la vitesse, de l’efficacité et de la densité de puissance du GaN. La nouvelle plateforme FET s’appuie par ailleurs sur le prédécesseur de 650 V, de Transphorm, la seule technologie GaN HV certifiée AEC-Q101 et JEDEC. Les développeurs de systèmes peuvent ainsi procéder à la conception en ayant pleine confiance dans sa qualité et sa fiabilité.

Le TP90H050WS offre une résistance ON typique de 50 mOhm avec une tension transitoire de 1000 V dans un boîtier standard TO-247. Le TP90H050WS peut atteindre des niveaux de puissance de 8 kW dans un demi-pont typique tout en maintenant des taux d’efficacité supérieurs à 99 %. Ses facteurs de mérite pour (les topologies à commutation par résonnance) Ron*Qoss et (les topologies de pont en commutation dure) Ron*Qrr sont deux à cinq fois inférieurs à ceux des technologies de superjonction courantes en production, ce qui indique des pertes de commutation extrêmement réduites. Alors qu’une version certifiée de JEDEC est prévue pour le 1er trimestre 2020, les clients peuvent concevoir dès aujourd’hui des systèmes d’alimentation GaN de 900 V.

Le premier dispositif 900 V de Transphorm, le TP90H180PS, qui offre une résistance ON typique de 170 mOhm dans un boîtier TO-220 est certifié JEDEC, et disponible sur Digi-Key depuis 2017. Il peut atteindre une efficacité maximale de 99 %, démontrant ainsi sa compatibilité avec les onduleurs monophasés de 3,5 kW.

Établir la viabilité du GaN dans les nouvelles applications à tension élevée

« Le tout dernier produit GaN 900 V de Transphorm représente une étape importante pour les transistors de puissance GaN commerciaux, car il atteint la marque de 1 kilovolt, une première du secteur. Cela ouvre la voie pour que le GaN constitue un choix viable à ces nœuds de tension plus élevés », a déclaré Primit Parikh, cofondateur et directeur des opérations, de Transphorm. « Avec un financement partiel de ARPA-E pour une réduction du risque précoce et Power America pour les premières étapes de la qualification du produit, cet effort représente un partenariat public-privé réussi qui accélère l’adoption du GaN sur le marché. »

La plateforme de 900 V de Transphorm fournit des niveaux de claquage supérieurs pour les systèmes déjà ciblés par les FET 650 V de la société : les renouvelables, l’automobile et diverses applications industrielles étendues. Elle est conçue pour être déployée dans la correction du facteur de puissance (CFP), de mât totémique sans pont, les configurations demi-pont utilisées dans les onduleurs et les convertisseurs CC à CC. La capacité de supporter ces topologies à une tension plus élevée étend les applications cibles de Transphorm en incluant désormais un large éventail d’applications industrielles triphasées, telles que les alimentations ininterruptibles automobiles et les chargeurs/convertisseurs aux nœuds de tension de batterie plus élevés.

« Les dispositifs de puissance GaN de 900 V éliminent les obstacles aux applications qui ne sont pas actuellement prises en charge avec les semi-conducteurs GaN. Avec des innovations telles que cette plateforme de 900 V, Transphorm fait progresser l’industrie en créant de nouvelles opportunités pour les clients », a indiqué pour sa part Victor Veliadis, directeur exécutif adjoint, et directeur de la technologie, chez PowerAmerica, qui a financé en partie le projet.

Le TP90H050WS offre les avantages suivants en même temps que les caractéristiques particulières mentionnées plus haut :

  • Commande facile avec des contrôleurs disponibles dans le commerce
  • Marge de grille de sécurité robuste
  • Densité de puissance supérieure à celle des technologies de silicium actuelles
  • Performance supérieure à celle des IGBT, superjonction
  • Coûts de systèmes globaux réduits
  • Poids de système réduit

Disponibilité

Dès maintenant sous forme d’échantillons. Pour commander des pièces, visitez la page des produits TP90H050WS.

Ressources de conception

À propos de Transphorm

Transphorm conçoit et fabrique les semi-conducteurs GaN de 650 V et 900 V les plus performants et les plus fiables. Détentrice de plus de 1000 brevets, la société produit les premiers FET à GaN, certifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur.

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

Contacts

Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com