Transphorm refuerza la cartera de GaN de 900 V con el segundo transistor de efecto de campo

La 3ª generación de FET de GaN en Si es capaz de alimentar amplios suministros eléctricos industriales trifásicas y convertidores automotrices

GOLETA, California--()--Transphorm Inc. líder en el diseño y la producción de los más fiables semiconductores de nitruro de galio (GaN) de alto voltaje, ha presentado hoy su segundo transistor de efecto de campo (FET) de 900 V, la tercera generación del TP90H050WS, que mejora la única línea de productos de GaN de 900 V del sector. Estos dispositivos ahora permiten que los sistemas industriales trifásicos y la electrónica automotriz de alto voltaje aprovechen la velocidad, eficiencia y densidad de potencia de GaN.

El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal.

Contacts

Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

Contacts

Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com