東芝開發出散熱性能更強的40V N溝道功率MOSFET

- 新封裝提供雙面散熱,有效改善散熱。

Toshiba: A 40V N-channel power MOSFET "TPWR7904PB" for automotive applications in a new package featuring double-sided cooling for improved heat dissipation. (Photo: Business Wire)

東京--()--(美國商業資訊)--八月,東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)將啟動用於汽車應用的40V N溝道功率MOSFET——TPWR7904PB和TPW1R104PB的量產和出貨。其採用雙面散熱、低電阻、小型DSOP Advance(WF)封裝。

這些新產品在DSOP Advance(WF)封裝中安裝U-MOS IX-H系列晶片——採用最先進溝槽結構的MOSFET,實現高散熱性和低導通電阻特性。導通損耗所產生的熱量得到有效消散,因此散熱設計靈活性得到提高。

與東芝之前的U-MOS IV系列相比,U-MOS IX-H系列還實現了更小的開關雜訊,有助於降低電磁干擾(EMI)[1]
DSOP Advance(WF)封裝採用Wettable Flank Terminal結構[2]

應用場合
- 電動輔助轉向系統
- 負載開關
- 電動幫浦

特點
- 符合AEC-Q101標準,適用於汽車應用場合
- 採用頂板(top plate)[3]和漏極的雙面散熱封裝
-Wettable Flank結構有助於提高AOI可見性
- U-MOS IX-H系列具備低導通電阻和低噪音特性

 

主要規格

 (@Ta=25 ℃)
產品
型號
  絕對
最大額定值
  漏源極
導通電阻
RDS(ON)最大值(mΩ)
  閘源極
之間
內建
穩壓二極體
  系列   封裝

源極
電壓
VDSS
(V)
  漏極
電流
(直流)
ID
(A)
@VGS=6 V   @VGS=10 V
TPWR7904PB 40 150 1.3 0.79 U-MOSⅨ-H DSOP
Advance(WF)L
TPW1R104PB     120   1.96   1.14       DSOP
Advance(WF)M
 

註:
[1] EMI(電磁干擾)
[2] Wettable Flank Terminal結構:一種端子結構,支援在電路板上進行安裝的自動光學檢測(AOI)。
[3] 請注意,該頂板與源極電勢相同,但不能用於電極。

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