Toshiba Memory Corporation inizia la costruzione del primo impianto di fabbricazione a Kitakami City, Prefettura di Iwate

Artist's impression of the new fab (K1) (Graphic: Business Wire)

KITAKAMI, Giappone--()--Toshiba Memory Corporation, leader a livello mondiale in soluzioni di memoria, ha tenuto in data odierna una cerimonia d’inaugurazione per il primo impianto di fabbricazione di semiconduttori (fab), chiamato K1, a Kitakami, prefettura di Iwate, nel Giappone nord-orientale. Al suo completamento nell’autunno 2019, l’impianto sarà uno dei siti manifatturieri più avanzato al mondo, dedicato alla produzione di memorie flash 3D.

Toshiba Memory si dedica costantemente allo sviluppo tecnologico delle memorie flash. La società sta tracciando il cammino verso il futuro attraverso i progressi apportati a BiCS FLASH™, la propria memoria flash 3D brevettata.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

Contacts

Toshiba Memory Corporation
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
Divisione di pianificazione aziendale
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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