Transphorm aumenta la inmunidad al ruido y reduce el ruido de conmutación gracias a su plataforma de conversión de energía GaN de tercera generación

El primer GaN FET con un umbral de 4 voltios y los nuevos métodos de desarrollo del sistema de energía son el resultado de la experiencia de campo

GOLETA, California--()--Transphorm Inc., líder en el diseño y la fabricación de los primeros y más fiables semiconductores de nitruro de galio (GaN), calificados según JEDEC y AEC-Q101, ha anunciado hoy la disponibilidad de su tercera generación (Gen III) de GaN FET de 650 voltios (V). Los transistores de potencia basados en la tecnología Gen III reducen la interferencia electromagnética (EMI) y aumentan tanto la inmunidad al ruido como el espacio libre en las aplicaciones de circuitos.

El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal.

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Heather Ailara, +1-845-424-6341
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