Transphorm erhöht die Störfestigkeit und reduziert Schaltgeräusche mit der GaN-Stromwandlungsplattform der dritten Generation

Erster GaN-FET mit 4-Volt-Schwelle und neue Methoden zur Entwicklung von Energiesystemen aus der Praxis

GOLETA, Calif.--()--Transphorm Inc.– der Marktführer im Design und in der Herstellung hochzuverlässiger und der ersten Galliumnitrid (GaN)-Halbleiter nach JEDEC- und AEC-Q101 – gab heute die Verfügbarkeit seiner 650-Volt-GaN-FETs der dritten Generation (Gen III) bekannt. Energietransistoren, die auf der Gen III-Technologie basieren, bieten eine geringere elektromagnetische Interferenz (EMI), eine höhere Störfestigkeit und mehr Kopffreiheit in Schaltungsanwendungen.

Die neueste Entwicklung der preisgekrönten Plattform basiert auf den Erkenntnissen des Transphorm-Teams, das mit den Kunden an der Entwicklung von Endprodukten arbeitet, die jetzt in Produktion sind oder demnächst veröffentlicht werden. Gen III-Geräte sind unter anderem der TP65H050WS 50 mΩ FET und TP65H035WS 35 mΩ FET, die beide in Standard-TO-247-Gehäusen erhältlich sind.

Transphorm im Einsatz = Produktentwicklungsvorteile

Transphorm ist eine der wenigen GaN-Halbleiterfirmen, die jede kritische Phase der FET-Entwicklung abdeckt. Vor diesem Hintergrund können Erkenntnisse aus Kundenentwicklungsprojekten zusammen mit den Plattformen Gen I und Gen II auf die GaN-on-Si-Technologie übertragen werden, um die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistung des Transistors zu erhöhen. Häufig werden Daten gesammelt, die auch Entwicklungstechniken informieren, die die Komplexität des Designs vereinfachen, die Sicherheitsmarge erhöhen und/oder die Leistung des Energiesystems positiv beeinflussen können.

Forschungen, die zu Gen III führten, ergaben beide Möglichkeiten: erhöhte Vorteile durch die GaN-Technologie selbst und neue Designmethoden, die die Leistung des FET steigern. Darüber hinaus ermöglichen die Design- und Fertigungsinnovationen von Transphorm eine Senkung des Gerätepreises und damit einen noch höheren ROI.

Technologisch ermöglicht die Integration eines neuen MOSFETs zusammen mit anderen Designmodifikationen Gen III-Geräten, Folgendes bereitzustellen:

  • Eine erhöhte Schwellenspannung (Störfestigkeit) von 2,1 V für Gen II auf 4 V, wodurch ein negativer Gatetreiber überflüssig wird.
  • Eine Gate-Zuverlässigkeit von ±20 V; ein Anstieg von 11 Prozent gegenüber Gen II.

Dadurch wird das Schalten leiser und die Plattform bietet eine Leistungssteigerung bei höheren Stromstärken durch einfache externe Schaltungen.

Bezüglich der erlernten Designtechniken hat Transphorm elegante Lösungen zur Schwingungsunterdrückung in seinem Anwendungshinweis 0009 veröffentlicht: Empfohlene externe Schaltung für Transphorm GaN FETs. Beispielhafte Empfehlungen sind der Einsatz von Zwischenkreis-RC-Stoßbremsen und Schaltknoten-RC-Stoßbremsen, die zusätzliche Stabilität ohne Beeinträchtigung des Wirkungsgrades bieten. Die Lösungen können vor allem Halbbrücken- und brückenlosen PFC-Topologien nutzen.

„Es ist uns wichtig, unsere GaN-Technologie auf der Grundlage der Kundenbedürfnisse und der Erfahrungen aus der Praxis weiterzuentwickeln. Unsere Gen III FETs zeigen, was möglich ist, wenn wir diese Grundphilosophie einhalten“, so Philip Zuk, Vice President of Technical Marketing, Transphorm.

„Wir haben einen sichereren, kostengünstigeren Hochspannungs-GaN-FET entwickelt. Wir vertrauen darauf, dass diese Transistoren von den Kunden als die neuen Leistungshalbleiter angesehen werden, die unschätzbare Effizienz, hohe Belastbarkeit und andere Leistungsvorteile bei einfacher Handhabung bieten“, fügte Dr. Yifeng Wu, Senior Vice President of Engineering, Transphorm, hinzu.

Details zur Gen III 650 V-Produktlinie:

Verfügbarkeit: Aktuell lieferbar

  • Einheitspreis für TP65H050WS 50 mΩ TO-247: 8,86 USD (verkauft in Einheiten von 1.000 Stück)
  • Einheitspreis für TP65H035WS 35 mΩ TO-247: 11,55 USD (verkauft in Einheiten von 1.000 Stück)

Optimale Leistungsdaten: 1,5 kW bis 5,0 kW-Anwendungen je nach Konstruktionskriterien

Anwendungsmärkte:

  • Breite industrielle Einsatzmöglichkeiten
  • Rechenzentren
  • Stromversorgungen und Netzteile
  • Erneuerbare Energien

Konstruktionsbegleitdaten:

  • Datenblatt
  • Evaluierungskit
  • SPICE-Modell
  • Qualitäts-Whitepaper

Willkommen bei der GaN-Revolution!

Transphorm konstruiert, fertigt und verkauft GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen mit Hochspannung. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios (über 1000 erteilte Patente und anhängige Patente weltweit) ist Transphorm das einzige Unternehmen der Branche, das JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierte GaN-FETs produziert. Dies beruht auf dem vertikal integrierten Geschäftsansatz, der Innovationen in jeder Phase der Entwicklung zulässt: Design und Herstellung von Materialien und Geräten, Fertigung, Verpackung, Referenzschaltungs-Designs und Anwendungsunterstützung. Transphorm: Leistungselektronik, die die Grenzen des Siliziums überwindet. Website: transphormusa.com Twitter: @transphormusa

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Crimson Communicates
Heather Ailara, +1-845-424-6341
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