Transphorm aumenta l’immunità al rumore e riduce il cambiamento del rumore con la piattaforma di conversione dell’energia GaN di terza generazione

Il primo FET GaN con una soglia di 4 Volt e i nuovi metodi di sviluppo del sistema d’energia sono i risultati dell’esperienza sul campo

GOLETA, California--()--Transphorm Inc.—leader nella progettazione e nella produzione dei semiconduttori di affidabilità più alta e primi a nitruro di gallio (GaN) qualificato JEDEC- e AEC-Q101 —ha annunciato oggi la disponibilità dei suoi FET GaN di terza generazione (Gen III) a 650-volt (V). I transistor di potenza costruiti sulla base della tecnologia di Gen III danno la precedenza all’interferenza elettromagnetica più bassa (EMI), all’aumento dell’immunità al rumore logico e al margine di altezza maggiore nelle applicazioni dei circuiti.

L’ultimissima evoluzione della piattaforma premiata deriva dalla conoscenza acquisita dal team di Transphorm che lavora con i clienti sui design dei prodotti finali adesso in produzione o che saranno presto rilasciati.

Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.

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Crimson Communicates
Heather Ailara, +1-845-424-6341
heather@crimsoncom.com

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