Transphorm第三代GaN功率轉換平台增進抗干擾能力並降低切換雜訊

基於市場應用經驗所開發出來的首款採用4V門檻驅動的氮化鎵晶體及全新電源系統開發方案

加利福尼亞州戈利塔--()--(美國商業資訊)--Transphorm Inc. -業界最高可靠性及率先符合JEDEC和AEC-Q101標準的氮化鎵(GaN)半導體設計和製造的領導者 - 今天宣布推出其第三代(Gen III)650伏(V)GaN FETs。 採用Gen III技術的功率晶體,可降低電磁干擾(EMI),提高閘極雜訊抑制能力,在於電路應用中可提供更大的設計餘量.

此屢獲殊榮的平台,其改革起源於Transphorm團隊與客戶共同合作於生產或即將發佈的終端產品設計所獲得的知識。即將發佈的Gen III元件包含TP65H050WS 50mΩFET和TP65H035WS 35mΩFET,兩者均採用標準TO-247封裝。

Transphorm豐富的客戶合作經驗=產品開發的優勢

Transphorm是唯一擁有開發FET中各種階段所需之關鍵技術的GaN半導體公司之一。有鑑於此,在藉由Gen I及Gen II的平台和客戶共同開發設計時所獲知識能被應用於GaN on-Si技術,以提高電晶體的質量,可靠性和性能。經由所匯集的數據還能促進開發技巧,簡化設計的複雜度,提高安全質量和/或進一步增進電源系統的性能。

進一步地探究邁向Gen III所帶來的機會主要有二:大幅增加GaN技術本身固有的優點並增強了FET的性能。 此外,設計和製造的創新使Transphorm能夠降低元件價格,創造更佳的投報率。

就技術上而言,新型MOSFET與其它設計修改的結合使Gen III元件能夠提供:

  • 將Gen II的閘極門檻電壓(雜訊抗擾性)從2.1 V提高到4 V,無需使用負壓閘極驅動。
  • 閘極可靠性額定值為±20 V; 比第二代增加11%。

因此,切換更安定,同時此平台可簡化外部電路並可操作於更高的電流水平和實現更好的性能。

關於已獲悉到的一些設計技術,Transphorm在其 app note 0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs 發佈了妥善用於抑制振盪的解決方案。 範例中建議使用包括直流鏈RC緩衝器和開關節點RC緩衝器,上述對策增加了穩定性且不會對效率產生不利影響。值得注意的是,上述解決方案可以使半橋和無橋式圖騰柱PFC拓撲受益。

“根據客戶需求和實際經驗進化發展我們的GaN技術對我們來說非常重要。 我們的Gen III FET體現了我們堅持這一基本理念的可能性.”Transphorm技術行銷副總裁Philip Zuk表示。

“我們帶來了一種更安全,更具成本效益的高電壓GaN FET。 我們相信這些產品將被客戶視為新一代的功率半導體,提供無與倫比的效率,高功率的處理能力和其它易於使用的性能優勢,“Transphorm資深工程副總裁Yifeng Wu博士補充。

Gen III 650 V產品線詳情

供貨狀況:目前出貨中

  • TP65H050WS 50 mΩ TO-247單價: 美金8.86 (以1000個單位批量計算單價)
  • TP65H035WS 35 mΩ TO-247單價: 美金11.55 (以1000個單位批量計算單價)

最佳輸出額定值: 1.5 kW至5.0 kW 取決於各種不同應用的設計方式

市場應用:

  • 工業系統電源應用
  • 數據中心
  • 商用電源
  • 可再生能源

設計資源:

  • 規格書
  • 測試評估套件
  • SPICE模型
  • 高質量的白皮書

歡迎體驗 GaN 的創新!

Transphorm 設計、製造並銷售用於高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的 GaN 半導體。Transphorm 擁有全球最多的 Power GaN IP (全球超過1000 多個已發佈和審核中專利),生產業界唯一獲得 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的 GaN FET。這來自於在每個階段進行創新的垂直整合業務方式:材料和元件設計、製造、線路整合、封裝、參考電路設計和應用支援。Transphorm:讓電力電子應用超越矽的極限。網站:transphormusazn.com Twitter:@transphormusa

Contacts

Crimson Communicates
Heather Ailara, 1-845-424-6341
heather@crimsoncom.com

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