東芝推出採用新型封裝的汽車用40V N溝道功率MOSFET

-- 採用小型低電阻封裝,實現更低的導通電阻

Toshiba: Automotive 40V N-channel power MOSFET "TPHR7904PB" and "TPH1R104PB" housed in the small low-resistance SOP Advance (WF) package. (Photo: Business Wire)

東京--()--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)已推出兩款採用小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的新MOSFET產品——TPHR7904PB和TPH1R104PB,這兩款產品是汽車用40V N溝道功率MOSFET系列的最新產品。量產即日啟動。

這兩款新MOSFET產品採用最新第九代U-MOS IX-H溝槽製程製造,採用小型低電阻封裝,具備低導通電阻,因此有助於降低導通損耗。與東芝上一代設計(U-MOS IV)相比,U-MOS IX-H設計還實現了更低的開關雜訊,有助於降低EMI(電磁干擾)。

SOP Advance (WF)封裝採用「可潤濕側翼」(wettable flank)端子結構,支援在焊接之後進行自動光學檢測(AOI)

應用場合

  • 電動輔助轉向系統(EPS)
  • 負載開關
  • 電動泵

特點

  • 由於採用U-MOS IX-H製程和SOP Advance(WF)封裝,實現了0.79mΩ的最大導通電阻(RDS(ON)最大值)。
  • 低噪音特性降低了電磁干擾(EMI)。
  • 採用可潤濕側翼端子結構,支援小型低電阻封裝。
 

主要規格

(除非另作說明,@Ta=25°C)

產品型號

  漏源極
電壓
VDSS
(V)
  漏極
電流
(直流)
ID
(A)
  漏源極
導通電阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

  閘源極
之間
內建
穩壓二極體
  系列
@VGS=6V   @VGS=10V
TPH1R104PB 40 120 1.96 1.14 U-MOS IX
TPHR7904PB     150   1.3   0.79     U-MOS IX
 

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