东芝推出采用新型封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET

-- 采用小型低电阻封装,实现更低的导通电阻

Toshiba: Automotive 40V N-channel power MOSFET "TPHR7904PB" and "TPH1R104PB" housed in the small low-resistance SOP Advance (WF) package. (Photo: Business Wire)

东京--()--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”,这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。

这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造,采用小型低电阻封装,具备低导通电阻,因此有助于降低导通损耗。与东芝上一代设计(U-MOS IV)相比,U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声,有助于降低EMI(电磁干扰)。

SOP Advance (WF)封装采用“可沾锡侧翼”(wettable flank)端子结构,支持在焊接之后进行自动光学检测(AOI)

应用场合

  • 电动助力转向系统(EPS)
  • 负载开关
  • 电动泵

特点

  • 由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance(WF)封装,实现了0.79mΩ的最大导通电阻(RDS(ON)最大值)。
  • 低噪音特性降低了电磁干扰(EMI)。
  • 采用可沾锡侧翼端子结构,支持小型低电阻封装。
 

主要规格

(除非另作说明,@Ta=25°C)

产品型号

  漏源极
电压
VDSS
(V)
  漏极
电流
(直流)
ID
(A)
  漏源极
导通电阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

  栅源极
之间
内置
稳压二极管
  系列
@VGS=6V   @VGS=10V
TPH1R104PB 40 120 1.96 1.14 U-MOS IX
TPHR7904PB     150   1.3   0.79     U-MOS IX
 

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Release Summary

Toshiba releases automotive 40V N-channel power MOSFETs in a small low-resistance package that adopts a wettable flank terminal structure.

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