東芝推出搭載高效靜電放電保護、用於驅動LED頭燈的小型MOSFET

Toshiba: A dual MOSFET "SSM6N813R" with high ESD protection positioned for use in automotive applications, including as a driver IC for headlight LEDs. (Photo: Business Wire)

東京--()--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)已推出搭載高效率靜電放電保護的雙MOSFET SSM6N813R,該產品適用於需要耐高電壓和小尺寸的汽車應用,包括LED頭燈驅動器IC。量產出貨將於四月啟動。

100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用於需要多個LED的頭燈應用,高靜電放電抗擾度為這一能力提供支援。SSM6N813R採用最新製程製造,使用 TSOP6F封裝,具備1.5W的允許功耗和低導通電阻。此外,TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。

應用場合

  • 汽車LED頭燈驅動器

特點

  • 小型封裝
  • 高效率靜電放電保護
  • 低RDS(ON)
 

主要規格

(@Ta=25℃)
項目
(Ta=25℃)
  SSM6N813R
絕對最大額定值   漏源極電壓
VDSS (V)
100
閘源極電壓
VGSS (V)
+/-20
漏極電流
ID (A)
3.5
電氣特性 漏源極導通電阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)
  VGS=10V 112
VGS=4.5V 154
輸入電容
Ciss典型值(pF)
242
封裝   TSOP6F   2.9mm×2.8mm;t=0.8mm
 

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