东芝推出搭载高效静电放电保护、用于驱动LED前照灯的小型MOSFET

Toshiba: A dual MOSFET "SSM6N813R" with high ESD protection positioned for use in automotive applications, including as a driver IC for headlight LEDs. (Photo: Business Wire)

东京--()--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”,该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用,包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。

100V的最大漏源极电压(VDSS)可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用,高静电放电抗扰度为这一能力提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造,使用 TSOP6F封装,具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外,TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。

应用场合

  • 汽车LED前照灯驱动器

特点

  • 小型封装
  • 高效静电放电保护
  • 低RDS(ON)
 

主要规格

(@Ta=25℃)
项目
(Ta=25℃)
  SSM6N813R
绝对最大额定值   漏源极电压
VDSS (V)
100
栅源极电压
VGSS (V)
+/-20
漏极电流
ID (A)
3.5
电气特性 漏源极导通电阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)
  VGS=10V 112
VGS=4.5V 154
输入电容
Ciss典型值(pF)
242
封装   TSOP6F   2.9mm×2.8mm;t=0.8mm
 

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