NextPower 100V 功率 MOSFET 具低 Qrr 值和175°C 高溫指標

新一代元件改善了開關效率,提高了可靠性並降低了 EMI

奈梅亨--()--(美國商業資訊) -- Nexperia (其前身為恩智浦的標準產品部門) 今天宣布推出其功率 MOSFET 產品NextPower 100 V 系列。該產品系列具備低反向恢復電荷 (Qrr),且包括以 LFPAK56 (PowerSO8) 封裝(結溫可達到175°C)的器件。

NextPower 100 V MOSFET 是Nexperia 針對高效率開關和高可靠應用的最新一代元件。其具備低 50% 的 RDS(on) 值和強大的雪崩能量指標,因而是電源、電信和工業應用方面的理想選擇,尤其適合用於 USB-PD、Type-C充電器和轉換器及 48 V DC-DC 轉換器。該元件具備低體二極體損耗,其 Qrr 值低至 50 奈米庫倫 (nC) - 導致較低的反向恢復電流 (IRR),較低的電壓尖峰 (Vpeak) 及降低的振鈴紋波(有利於進一步最佳化死區時間)。

功率MOSFET產品經理 Mike Becker 先生表示:「Qrr 值是常常被關注的參數,該參數對許多設計方面有重大影響。低的尖峰意味著EMI 降低了,同時最佳化的死區時間進一步實現了的效率增益。這也是我們在Nexperia 所追求的。我們已經展示了低 QRR 值對這兩項功能都是有益的。」

新型NextPower 100 V MOSFET有三種可用的封裝形式:TO220 和 I2PAK外掛程式封裝,及流行的LFPAK56 封裝 (貼片封裝)。所有封裝形式的元件都具備 175°C 的 Tj(max),且完全符合 IPC9592 擴展溫度要求,因而使NextPower 100 V MOSFET 特別適合於電信和計算方面的應用。

NextPower MOSFET 元件現已量產,可供貨。請造訪 https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/qrr-overlooked-and-underappreciated-in-efficiency-battle.html

關於 Nexperia

Nexperia 是全球領先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件的專業製造商,其前身為恩智浦的標準產品部門,於 2017 年初開始獨立營運。Nexperia 注重效率,生產穩定可靠的半導體元件,年產量高達850 億顆,其很多產品系列符合汽車產業的嚴格標準。Nexperia 工廠生產的小型封裝也是業界領先,不僅具有較高的功率與熱效率,還是同類品質之最。

五十多年來,Nexperia 一直為全球各地的大型公司提供優質產品,並在亞洲、歐洲和美國擁有 11,000 名員工。該公司擁有龐大的智慧財產權組合,並獲得了 ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001 和 OHSAS18001 認證。

Nexperia:效率取勝。

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