Transphorm publie la conception de référence de la correction du facteur de puissance (PFC) des GaN haute tension totem-pôle sans pont, de 3,3 kW

Développement d’un système d’alimentation de CA à CC simplifié pour les applications serveur, automobile et industrielle

GOLETA, Californie--()--Transphorm Inc. a publié aujourd’hui la première version complète de la conception de référence de la correction du facteur de puissance (PFC) pour les systèmes d’alimentation en nitrure de gallium (GaN) haute tension totem-pôle sans pont de 3,3 kilowatts (kW) fonctionnant en mode de conduction continue (CCM). Le schéma technique est utilisé pour développer des applications CA à CC :

  • PFC frontaux haut de gamme pour les alimentations commerciales (serveurs, jeux, minage de cryptomonnaies, et applications similaires de haute densité multi-kW)
  • Chargeurs embarqués pour véhicules hybrides rechargeables (PHEV) et batteries électriques (BEV)
  • Charges industrielles importantes

Téléchargez la Conception de référence TDTTP3300-RD ici.

Produits à haut rendement, expertise minimale requise

Transphorm conçoit et fabrique la plateforme GaN 650 V de la plus haute qualité et de la plus haute fiabilité, produisant les seuls transistors GaN HV JEDEC et AEC-Q101. La conception de référence offre une efficacité de 99 % en utilisant la technologie GaN FET 650 V (TP65H050WS - résistance 50 mΩ) de 3e génération de Transphorm, dans le solide bloc d’alimentation TO-247 favori du secteur.

Le TDTTP3300-RD inclut toutes les ressources nécessaires pour développer des produits rapidement sans avoir besoin d’une expertise en conception GaN ni en codage de firmware DSP :

  • Rapport de test
  • Guide de conception de matériel
  • Guide de conception du firmware (avec firmware téléchargeable)
  • Schémas de conception et fichiers Gerber
  • Nomenclature (BOM)

« Comme en témoignent les produits finis des clients, les appareils Q+R haut de gamme de Transphorm sont réputés pour fournir ce que le GaN à haute tension a toujours promis. Densité de puissance accrue, efficacité et performances avec un coût système réduit », a déclaré Philip Zuk, vice-président du marketing technique, chez Transphorm. « Désormais, nous aidons les concepteurs à capitaliser rapidement sur ces avantages en éliminant les lacunes dans les connaissances de conception. Avec notre conception de référence de 3,3 kW, nous dotons l’industrie d’une feuille de route dont l’élaboration a duré plusieurs années. Nous sommes impatients de voir quelles innovations système seront construites à partir de cette fondation GaN. »

         
Caractéristiques du TDTTP3300-RD           Avantages
GaN FET TP65H050WS           Résistance d’entrée élevée : ±20 VGS(max)

Immunité au bruit élevée : 4,0 VTH

État machine basé sur firmware DSP           Active un convertisseur entièrement fonctionnel avec états opérationnels prédéfinis.
Intégration de la carte mère TMS320F28335 DSP          

Outils de développement connus

Paramètres opérationnels programmables           Fréquence de commutation, démarrage progressif, limites de défaut, etc., définis par l’utilisateur
Traitement des défauts           Surtension VIN/VOUT, OCP, OTP, minuteries de verrouillage ou de redémarrage programmables, etc.
Alimentation auxiliaire interne           Élimine l’alimentation externe, et fournit un second niveau d’alimentation.
Commandes d’interférence électromagnétique appliquées           Conformité EMI initiale obtenue grâce à la configuration du circuit imprimé et à des techniques de conception éprouvées.
 

Bienvenue à la révolution GaN !

Transphorm conçoit et fabrique les semi-conducteurs GaN les plus performants et les plus fiables pour les applications de conversion de puissance à haute tension. Transphorm, qui possède l’un des plus importants portefeuilles IP Power GaN (plus de 1000 brevets déjà émis ou en instance dans le monde entier), produit les seuls FET GaN certifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur. Cela grâce à une approche à intégration verticale permettant d’innover à chaque stade du développement : matériaux, conception et fabrication des dispositifs, fabrication, emballage, conceptions circuit de référence et prise en charge d’applications. Transphorm : amener l’électronique de puissance au-delà des limites du silicium. Site Web : transphormusa.com Twitter : @transphormusa

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Crimson Communicates
Heather Ailara, 845-424-6341
heather@crimsoncom.com

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