東芝電子元件及儲存裝置株式會社針對繼電器驅動器推出小型雙MOSFET

Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.: "SSM6N357R," a small dual MOSFET for relay drivers. (Photo: Business Wire)

東京--()--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日宣布推出一款新的MOSFET SSM6N357R,該產品在漏極和閘極端子之間設計有內建二極體。該元件適用於驅動機械繼電器等電感負載。量產出貨即日啟動。

SSM6N357R整合有下拉電阻器、串聯電阻器和穩壓二極體,有助於減少零組件數量並節省電路板空間。此外,由於該產品採用雙列直插式封裝(二合一),與採用兩個SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)單列直插式封裝產品的替代方案相比,其安裝面積減小42%。

SSM6N357R採用業界標準的TSOP6F級封裝,具備3.0V的低工作電壓並且通過了AEC-Q101認證,因此適合於汽車和許多其他應用。

應用場合

  • 汽車應用的繼電器和螺線管控制
  • 工業應用的繼電器和螺線管控制
  • 辦公設備離合器控制

特點

  • 節省電路板空間且元組件數量減少(實現了下拉電阻器、串聯電阻器和穩壓二極體的整合。)
  • 3.0V的低工作電壓
  • 雙列直插式封裝(二合一)
  • 通過AEC-Q101認證
 

主要規格

(@Ta=25°C)
項目   特性
絕對最大額定值   漏源極電壓

VDSS (V)

60
閘源極電壓

VGSS (V)

±12
漏極電流

ID (A)

0.65
電氣特性 漏源極導通電阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

  |VGS|=3.0V 2400
|VGS|=5.0V 1800
閘極總電荷

Qg典型值(nC)

1.5
輸入電容

Ciss典型值(pF)

43
封裝   TSOP6F   2.9mm×2.8mm;t=0.8mm
 

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