Panasonic vai iniciar a produção em massa do controlador de porta de alta velocidade X-GaN dedicado ao transistor de potência GaN (TM)

-Contribuindo à economia de espaço e de energia das unidades de conversão de energia-

Single-channel high-speed gate driver for "X-GaN" power transistor AN34092B (Photo: Business Wire)

MUNIQUE, Alemanha--()--A Panasonic Corporation anunciou hoje que iniciará a produção em massa de um controlador de porta de alta velocidade (AN34092B) otimizado para controlar seu transistor de potência GaN X-GaN em novembro de 2016. A empresa também iniciará a produção em massa de dois tipos de X-GaN (PGA26E07BA e PGA26E19BA) e fornecerá soluções em combinação com controladores de porta de alta velocidade.

O GaN é um dos semicondutores compostos de próxima geração que pode conseguir economia de espaço e energia quando aplicado a transistores usados em várias unidades de potência. Um controlador de porta é necessário para acionar um transistor; contudo, os condutores de portas gerais para transístores convencionais de silício (Si) não podem explorar o potencial dos transistores GaN uma vez que a estrutura de porta dos transistores GaN é diferente da dos transistores Si.

O novo controlador de porta de alta velocidade (AN34092B) ajuda nosso X-GaN a alcançar com facilidade e segurança o desempenho de comutação de alta velocidade. Ele pode controlar transistores em altas frequências de até 4 MHz e integra a função de grampo Miller ativa [1] que evita o mau funcionamento durante a comutação de alta velocidade. O X-GaN alcança um modo de melhoria de ruptura de 600 V[2] através da nossa tecnologia única e possui comutação de alta velocidade e baixa resistência [3]. A combinação de X-GaN e controladores dedicados de porta de alta velocidade contribuirá para a economia significativa de espaço e energia de várias unidades de conversão de energia para uso industrial e de consumo.

O X-GaN e os controladores dedicados de porta de alta velocidade são adequados para várias aplicações, tais como unidades de alimentação de 100 W a 5 kW, inversores, data centers, estações base móveis, eletrônicos de consumo, equipamentos audiovisuais, dispositivos industriais e médicos.

O X-GaN e os controladores dedicados de porta de alta velocidade serão exibidos na electronica 2016 em Munique, Alemanha de 8 (terça-feira) a 11 de novembro (sexta-feira) este ano.

[Vídeo]
Panasonic vai iniciar a produção em massa do transistor de potência, X-GaN
[inglês] http://channel.panasonic.com/contents/19314/
[alemão] http://channel.panasonic.com/contents/19315/
*Vídeo em inglês disponível emhttps://vimeo.com/190235768/a7a95b0b72.

[Sobre o controlador de porta de alta velocidade (AN34092B)]
Linha
AN34092B
Características
• Controle de transistores em altas frequências de até 4 MHz que proporcionam economia de espaço
• Obtenção de uma alta taxa de varredura que contribui para a economia de energia
• Integração da função ativa de grampo de Miller que evita o mau funcionamento durante a comutação de alta velocidade

Saiba mais sobre o controlador de porta de alta velocidade (AN34092B) em http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/#products-document

[Sobre X-GaN]
Linha
PGA26E07BA (70 mΩ) e PGA26E19BA (190 mΩ)
Características
O X-GaN alcança um modo de melhoria de degradação de 600 V através da nossa tecnologia única e do colapso atual gratuito[4]. Suas operações de alta velocidade permitem maior eficiência de conversão de energia e maior redução de tamanho.

Saiba mais sobre X-GaN em http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/

[Informação relacionada]
[ Comunicado de imprensa] A Panasonic está prestes a lançar o menor pacote de transistores de potência GaN de 600V em modo melhora da indústria(18 de maio de 2015)
http://news.panasonic.com/global/press/data/2015/05/en150518-4/en150518-4.html
[Filme] História do desenvolvimento: Novo dispositivo de potência da Panasonic, “X-GaN”
https://channel.panasonic.com/contents/16417/
Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.
http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/

[Obs.]
[1] Grampo Miller ativo
O grampo Miller ativo é uma função que fixa diretamente a tensão da porta ao nível do solo para reduzir os picos de tensão na porta em ambientes ruidosos que podem causar mau funcionamento do transistor quando ele é desligado.

[2] Modo de melhora
Um modo de melhora é uma característica dos dispositivos semicondutores que normalmente é apagada quando nenhuma tensão é aplicada à porta. Isso também é chamado normalmente-apagado.

[3] Em-resistência baixa
Em-resistência é a resistência entre o dreno e o eletrodo de fonte de um transistor quando o transistor é ligado. Quanto menor for o valor, menor será a perda do transistor.

[4] Colapso atual
O colapso da corrente é um fenômeno no qual os elétrons na área de drenagem são aprisionados pela energia da alta tensão aplicada entre o dreno e o eletrodo de fonte. Desde que os elétrons presos impedem o fluxo atual do dreno ao eletrodo da fonte quando o transistor é ligado, a em-resistência aumenta.

Sobre a Panasonic
A Panasonic Corporation é líder mundial no desenvolvimento de diversas tecnologias e soluções eletrônicas para os clientes nos setores de eletrônicos, habitação, automotivo, soluções corporativas e indústrias de dispositivos. Desde sua fundação em 1918, a empresa expandiu mundialmente e hoje opera 474 subsidiárias e 94 sociedades coligadas em todo o mundo, registrando vendas líquidas consolidadas de 7,553 trilhões de ienes no ano fiscal encerrado em 31 de março de 2016. Empenhada na busca de novos valores por meio da inovação entre todas as linhas divisionais, a empresa emprega suas tecnologias para criar uma vida melhor e um mundo melhor para seus clientes. Para saber mais sobre a Panasonic, acesse: http://www.panasonic.com/global.

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E-mail: presscontact@ml.jp.panasonic.com

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