ROHM y Toshiba acuerdan colaborar en la fabricación de dispositivos de potencia

El METI reconoce que el plan conjunto favorece un suministro estable y seguro

KYOTO, Japón y KAWASAKI, Japón--()--El plan de ROHM Co., Ltd. (“ROHM”) y Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba Electronic Devices & Storage”) para colaborar en la fabricación y producción en mayor volumen de dispositivos de potencia ha sido reconocido y será apoyado por el Ministerio de Economía, Comercio e Industria como medida de apoyo al objetivo del gobierno japonés de asegurar y estabilizar el suministro de semiconductores. ROHM y Toshiba Electronic Devices & Storage realizarán respectivamente inversiones intensivas en dispositivos de alimentación de carburo de silicio (SiC) y silicio (Si), mejorarán eficazmente sus capacidades de suministro y utilizarán de forma complementaria la capacidad de producción de la otra parte.

Los dispositivos de potencia son componentes esenciales para suministrar y gestionar la alimentación eléctrica en todo tipo de equipos electrónicos y para lograr una sociedad sin emisiones de carbono. Se espera que la demanda actual siga creciendo. En las aplicaciones de automoción, el desarrollo de cadenas cinemáticas eléctricas más eficientes, pequeñas y ligeras ha avanzado paralelamente a la rápida expansión de la electrificación de los vehículos. En las aplicaciones industriales, se requiere un suministro estable de dispositivos de potencia y unas características mejoradas para apoyar la creciente automatización y los requisitos de mayor eficiencia.

En este contexto, ROHM formuló una visión de gestión: "Nos centramos en soluciones analógicas y de potencia y resolvemos problemas sociales contribuyendo a las necesidades de nuestros clientes en materia de ahorro energético y miniaturización de sus productos", y acelera sus esfuerzos en pro de una sociedad libre de carbono. Los dispositivos de potencia de SiC son la clave del ahorro energético. Desde la primera producción en masa de MOSFET de SiC del mundo, ROHM desarrolló constantemente tecnologías líderes en la industria. Entre ellas se encuentran los últimos MOSFET de SiC de 4.° generación de ROHM, que se adoptarán para numerosos vehículos eléctricos y equipos industriales. Como uno de sus proyectos prioritarios, ROHM está trabajando en el negocio del SiC, que contiene inversiones agresivas y continuas para aumentar la capacidad de producción de SiC y satisfacer el fuerte crecimiento de la demanda.

Toshiba Group, con su compromiso básico de larga data, "Comprometidos con las personas, comprometidos con el futuro", tiene como objetivo avanzar en el logro de la neutralidad de carbono y una economía circular. Toshiba Electronic Devices & Storage lleva décadas suministrando dispositivos de alimentación de Si, principalmente para los mercados de la automoción y la industria, que contribuyeron a garantizar soluciones de ahorro energético y la miniaturización de los equipos. La empresa inició el año pasado la producción en una línea de obleas de 300 mm y está acelerando las inversiones para mejorar la capacidad de producción y satisfacer el fuerte crecimiento de la demanda. También está avanzando en el desarrollo de una gama más amplia de dispositivos de potencia de SiC, especialmente para aplicaciones de automoción y de transmisión y distribución de energía, aprovechando al máximo la experiencia que ha cultivado en aplicaciones para vehículos ferroviarios.

ROHM ya anunció su participación en la privatización de Toshiba, pero esta inversión no sirvió como punto de partida para la colaboración en fabricación entre ambas empresas. Ante la intensificación de la competencia internacional en la industria de los semiconductores, ROHM y Toshiba Electronic Devices & Storage llevan tiempo considerando la posibilidad de colaborar en el negocio de los dispositivos de potencia, lo que dio lugar a la solicitud conjunta.

ROHM y Toshiba Electronic Devices & Storage colaborarán en la fabricación de dispositivos de potencia, a través de inversiones intensivas en dispositivos de potencia de SiC y Si, respectivamente, con el fin de mejorar la competitividad internacional de ambas empresas. Las empresas también intentarán contribuir a reforzar la resistencia de las cadenas de suministro de semiconductores en Japón.

Esquema del plan de mejora de la oferta 

Nombres de las empresas

ROHM Co., Ltd. y LAPIS Semiconductor Co., Ltd.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation y Kaga Toshiba Electronics Corporation

Importe total de la inversión

JPY 388.300 millones:
ROHM y LAPIS: JPY 289.200 millones,
Toshiba Electronic Devices & Storage y Kaga Toshiba: JPY 99.100 millones

Subsidio máximo

JPY 129.400 millones: 1/3 del importe total de la inversión

Sitios de producción

Planta n.º 2 de LAPIS Semiconductor Miyazaki: dispositivos de potencia de SiC y obleas de SiC,

Kaga Toshiba: Dispositivos de alimentación de Si

Alcance

Aumento de la capacidad de producción en Japón de dispositivos de potencia de SiC y Si y obleas de SiC

Acerca de ROHM

Fundada en 1958, ROHM suministra circuitos integrados y semiconductores discretos caracterizados por una calidad y fiabilidad excepcionales para una amplia gama de mercados, incluidos los de la automoción, la industria y el consumo, a través de su red mundial de desarrollo y ventas.
Puede obtener más información sobre la ROHM en www.rohm.com

Acerca de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, proveedor líder de semiconductores avanzados y soluciones de almacenamiento, se basa en más de medio siglo de experiencia e innovación para ofrecer a sus clientes y socios comerciales semiconductores discretos, LSI de sistema y productos HDD excepcionales.
Encuentre más información en https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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