GLOBALFOUNDRIES detalla tecnología de avanzada para alcanzar 22 nm y más

SUNNYVALE, California y KIOTO, Japón--(BUSINESS WIRE)--GLOBALFOUNDRIES describió hoy una tecnología innovadora que podría superar uno de los obstáculos más grandes para el avance de los transistores de compuerta metálica de constante dieléctrica K elevada (HKMG), gracias a la cual la industria se acercaría un paso más a la próxima generación de dispositivos móviles con mayor capacidad informática y duración de batería ampliamente mejorada.

La industria de semiconductores es conocida por vencer las probabilidades aparentemente insuperables de continuar la tendencia hacia productos de mayor eficiencia energética, mayor velocidad y menor tamaño. La nueva investigación se realizó en forma conjunta con IBM mediante la participación de GLOBALFOUNDRIES en la IBM Technology Alliance (Alianza tecnológica de IBM) y está diseñada para permitir que los componentes semiconductores continúen el escalamiento hasta el nodo de 22 nanómetros y más.

En el Simposio 2009 sobre Tecnología VLSI en Kioto, Japón, GLOBALFOUNDRIES anunció la primera demostración de una técnica que permite reducir el grosor equivalente de óxido (EOT) de un transistor de compuerta metálica de constante dieléctrica K elevada (HKMG) más allá del nivel requerido para el nodo de 22 nm, y al mismo tiempo mantiene una combinación de bajo nivel de fuga, bajos umbrales de voltaje y movilidad de portador superior.

“El HKMG es un componente fundamental para el plan de acción tecnológico de GLOBALFOUNDRIES”, mencionó Gregg Bartlett, vicepresidente senior de tecnología e investigación y desarrollo. “Con el tiempo, este desarrollo podría brindar a los clientes otra herramienta para mejorar el rendimiento de sus productos, en especial dentro del mercado de crecimiento rápido de computadoras ultra portátiles y smartphones (teléfonos inteligentes) con mayor duración de la batería. Junto con IBM y los socios de la alianza, estamos utilizando nuestra base mundial de conocimiento para desarrollar tecnologías de avanzada que permitirán a nuestros clientes permanecer a la vanguardia de la fabricación de semiconductores”.

Para mantener la precisión de conmutación de un transistor HKMG debe reducirse el EOT de la capa de óxido de constante dieléctrica K elevada. Sin embargo, al reducir el EOT aumenta la corriente de fuga, lo que puede contribuir a un aumento en el consumo de energía de un microchip. GLOBALFOUNDRIES e IBM han desarrollado una nueva técnica que supera esta barrera al demostrar por primera vez que es posible lograr que el EOT se reduzca más allá del nodo de 22 nm y, al mismo tiempo, mantenga la combinación necesaria de fuga, umbrales de voltaje y movilidad de portador. Los resultados se demostraron con éxito mediante la fabricación de un dispositivo MOSFET de canal n con un EOT de 0,55 nm y un MOSFET de canal p con un EOT de 0,7 nm.

ACERCA DE GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES es la primera empresa de fabricación de semiconductores de avanzada verdaderamente global del mundo. Presentada en marzo de 2009 a través de una alianza entre AMD (NYSE: AMD) y Advanced Technology Investment Company (ATIC), GLOBALFOUNDRIES ofrece una combinación única de tecnología de avanzada, excelencia en fabricación y operaciones mundiales. GLOBALFOUNDRIES tiene oficinas centrales en Silicon Valley e instalaciones en Austin, Dresden y Nueva York.

Si desea obtener más información sobre GLOBALFOUNDRIES, visite www.globalfoundries.com.

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