GLOBALFOUNDRIES detalha tecnologia avançada para 22 nm e além

SUNNYVALE, Califórnia e QUIOTO, Japão--(BUSINESS WIRE)--A GLOBALFOUNDRIES descreveu hoje uma tecnologia inovadora que pode superar um dos principais obstáculos ao avanço dos transistores “high-k metal gate” (ou HKMG), proporcionando ao setor dar um passo a mais na direção da próxima geração de dispositivos móveis com maior capacidade computacional e vida de bateria muito mais longa.

O setor de semicondutores é celebrado por vencer dificuldades aparentemente insuperáveis e manter a tendência da oferta de produtos menores, mais rápidos e com maior eficiência energética. A nova pesquisa, realizada em conjunto com a IBM por meio da participação da GLOBALFOUNDRIES na IBM Technology Alliance, foi concebida para possibilitar uma nova redução de escala dos componentes semicondutores até o nó de 22 nanômetros e além.

Na edição de 2009 do simpósio da VLSI Technology, em Quioto, Japão, a GLOBALFOUNDRIES anunciou a primeira demonstração de uma técnica que viabiliza a espessura equivalente ao óxido (EOT) em um transistor HKMG para reduzir de escala a um nível bem inferior ao necessário para o nó de 22 nm e, ao mesmo tempo, manter uma combinação de baixa fuga de corrente, tensões de limiar também baixas e mobilidade superior para as operadoras.

“O HKMG é um componente fundamental no caminho tecnológico da GLOBALFOUNDRIES”, disse Gregg Bartlett, vice-presidente sênior de tecnologia e pesquisa e desenvolvimento. “Esse avanço pode levar aos clientes a oferta de outra ferramenta para melhorar o desempenho de seus produtos, particularmente no mercado de rápido crescimento de notebooks ultraportáteis e smart phones com vida de bateria mais longa. Juntamente com a IBM e os parceiros da aliança, estamos usando nossa base global de conhecimentos para desenvolver tecnologias avançadas que permitirão aos nossos clientes permanecer na vanguarda da produção de semicondutores”.

Para manter a precisão de switching de um transistor HKMG, a EOT da camada de óxido high-k precisa ser reduzida. Contudo, a redução da EOT aumenta a corrente de fuga, o que pode contribuir para o incremento do consumo de energia de um microchip. A GLOBALFOUNDRIES e a IBM desenvolveram uma nova técnica que supera esse limite, demonstrando pela primeira vez que a escala da EOT para bem menos do que o nó de 22 nm pode ser obtida sem afetar a combinação necessária de fuga, tensão de limiar e mobilidade para as operadoras. Os resultados foram demonstrados com sucesso por meio da fabricação de um dispositivo n-MOSFET com EOT de 0,55 nm e um p-MOSFET com EOT de 0,7 nm.

SOBRE A GLOBALFOUNDRIES

A GLOBALFOUNDRIES é a primeira empresa de produção de semicondutores de ponta verdadeiramente global. Lançada em março de 2009, por meio de uma parceria entre a AMD [NYSE: AMD] e a Advanced Technology Investment Company (ATIC), a GLOBALFOUNDRIES oferece uma combinação exclusiva de tecnologia de ponta, excelência em produção e operações globais. A GLOBALFOUNDRIES está sediada no Vale do Silício e tem instalações em Austin, Dresden e Nova York.

Para obter mais informações sobre a GLOBALFOUNDRIES, acesse www.globalfoundries.com.

DECLARAÇÃO CAUTELAR

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