GLOBALFOUNDRIES erläutert Einzelheiten zu hochentwickelter Technologie für 22 nm und darüber hinaus

SUNNYVALE, Kalifornien, USA und KYOTO, Japan--(BUSINESS WIRE)--GLOBALFOUNDRIES beschrieb heute eine innovative Technologie, die eine der größten Hürden bei der Weiterentwicklung von High-k-Metal-Gate-Transistoren (HKMG) überwinden könnte und die Branche einen Schritt weiter in Richtung der nächsten Generation von Mobilgeräten mit mehr Rechenleistung und stark verbesserter Batterielaufzeit bringen könnte.

Die Halbleiterbranche wird für die Bewältigung scheinbar unüberwindbarer Schwierigkeiten bei der Fortführung des Trends zu kleineren, schnelleren und energieeffizienteren Produkten gefeiert. Das neue Forschungsprojekt, das zusammen mit IBM im Rahmen der Beteiligung von GLOBALFOUNDRIES in der IBM Technology Alliance durchgeführt wird, zielt auf eine weitere Skalierung von Halbleiterbauteilen auf den 22-Nanometer-Knotenpunkt und darüber hinaus ab.

Auf dem Symposium on VLSI Technology 2009 in Kyoto, Japan, berichtete GLOBALFOUNDRIES über die erste Präsentation einer Technik, die es möglich macht, die äquivalente Oxiddicke (EOT – Equivalent Oxide Thickness) bei einem High-k-Metal-Gate-Transistor (HKMG) auf einen Grad zu reduzieren, der deutlich unter dem für den 22-nm-Knotenpunkt benötigten Grad liegt, während eine Kombination aus geringem Kriechverlust, geringen Schwellenspannungen und überlegener Betreibermobilität beibehalten wird.

„HKMG ist ein wesentlicher Bestandteil der Technologiepläne von GLOBALFOUNDRIES“, sagte Gregg Bartlett, Senior Vice President der Abteilung Technologie, Forschung und Entwicklung. „Diese Entwicklung könnte den Kunden letztendlich ein weiteres Werkzeug in die Hand geben, um die Leistungsfähigkeit ihrer Produkte zu erhöhen, insbesondere auf dem schnell wachsenden Markt für ultra-tragbare Notebooks und Smartphones mit langer Batterielaufzeit. Zusammen mit IBM und den Allianzpartnern erschließen wir unsere globale Wissensbasis, um fortschrittlichste Technologien zu entwickeln, die es unseren Kunden ermöglichen werden, an der Spitze der Halbleiterfertigung zu bleiben.“

Um die Schaltpräzision eines HKMG-Transistors zu erhalten, muss die EOT des High-k-Oxide-Layers reduziert werden. Jedoch erhöht die Reduzierung der EOT den Kriechstrom, was zu einem erhöhten Stromverbrauch von Mikrochips beitragen kann. GLOBALFOUNDRIES und IBM haben eine neue Technik entwickelt, die dieses Hindernis überwindet und somit erstmals demonstriert, dass EOT-Skalierung deutlich jenseits des 22-nm-Knotenpunkts realisiert werden kann, während gleichzeitig die notwendige Kombination von Kriechstrom, Schwellenspannung und Betreibermobilität erreicht wird. Die Ergebnisse wurden durch die Fertigung eines n-MOSFET-Geräts mit einer EOT von 0,55 nm und eines p-MOSFET mit einer EOT von 0,7 nm erfolgreich demonstriert.

ÜBER GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES ist das weltweit erste tatsächlich weltweit agierende und technisch führende Halbleiterproduktionsunternehmen. GLOBALFOUNDRIES wurde im März 2009 durch einen Gesellschaftsvertrag zwischen AMD (NYSE: AMD) und der Advanced Technology Investment Company (ATIC) gegründet und bietet eine einzigartige Kombination aus technisch erstklassiger Technologie, hervorragenden Produktionsleistungen und globaler Geschäftstätigkeit. GLOBALFOUNDRIES hat seinen Hauptsitz im Silicon Valley und verfügt über Niederlassungen in Austin, Dresden und New York.

Weitere Informationen über GLOBALFOUNDRIES finden Sie unter www.globalfoundries.com.

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