グローバルファウンドリーズ社、22ナノメートル以下の微細化に向けた高度技術の詳細を発表

VLSI 2009において、HKMGトランジスターの一層の微細化に向けた新しい手法を発表

米カリフォルニア州サニーベール、および京都発 -- (ビジネスワイヤ) -- グローバルファウンドリーズ社は本日、HKMG（高誘電率膜/メタルゲート）トランジスターの進歩の上で大きな障害となっていた問題の1つを克服する革新的な技術を発表しました。これによって業界は、さらに優れた処理能力を備え、バッテリー寿命が非常に長いという特長を有する、次世代のモバイル機器に一歩近づくことができます。

半導体業界は、より小さく、より高速に、よりエネルギー効率の高い製品へという傾向を継続する上で大きな障害となっており、克服不可能と思われていた難関を克服できたことを祝福しています。この新しい研究は、半導体部品を22ナノメートル・ノード以下にまで微細化することを目標としたものであり、グローバルファウンドリーズ社がIBMテクノロジー・アライアンスに参加することにより、IBMと協働で行われています。

京都で開催中の「2009年VLSI技術シンポジウム」において、グローバルファウンドリーズ社は初めて、HKMGトランジスターのEOT（等価酸化膜厚）を22ナノメートル・ノードに必要とされるレベルよりも大幅に薄くできることを発表しました。しかも、この手法では、低漏洩電流、低しきい値電圧、優れたキャリアー移動度という組み合わせは維持できます。

グローバルファウンドリーズ社の技術および研究開発担当上級副社長のグレッグ・バートレット氏は次のように語っています。「グローバルファウンドリーズ社の技術ロードマップにとって、HKMGは非常に重要な要素です。今回の開発により、製品のパフォーマンスを高める、もう1つのツールを、当社の顧客の皆様に提供できるようになります。このツールは、超小型ノートブックやスマートフォンなど、長いバッテリー寿命が要求される急成長の市場で特に重要です。当社は、IBMやアライアンスのパートナーと共に、世界的なナレッジ・ベースを築き、高度な技術を開発してまいります。こうした努力により、当社の顧客の皆様は、半導体製造において、最先端の地位を維持することができます。」

HKMGトランジスターのスイッチング精度を維持するためには、高誘電率酸化膜を持つEOTを薄くする必要があります。しかし、EOTを薄くすると漏洩電流が増加し、それがマイクロチップの消費電力の増加につながります。グローバルファウンドリーズ社とＩＢＭは、この壁を乗り越える新しい手法を開発し、22ナノメートル・ノードを大幅に下回るEOTを実現できることを初めて示しました。しかも、低漏洩電流、低しきい値電圧、優れたキャリアー移動度という必要な組み合わせは維持されます。その結果、EOTが0.55ナノメートルのn-MOSFET(N型酸化膜絶縁ゲート電界効果トランジスター)素子、そしてEOTが0.7ナノメートルのp-MOSFET(P型酸化膜絶縁ゲート電界効果トランジスター)素子を製造することに成功しました。

グローバルファウンドリーズ社について

グローバルファウンドリーズ社は間違いなく最先端の半導体製造を行う世界で初めてのグローバル企業です。AMD[NYSE:AMD]とAdvanced Technology Investment Company(ATIC)間の提携により2009年3月に設立されるグローバルファウンドリーズ社は、最先端の技術、卓越した製造能力、および世界的事業を独自に組み合わせた事業を展開します。グローバルファウンドリーズ社は、シリコンバレーに本社を構え、オースチン、ドレスデン、ニューヨークに施設を所有します。

グローバルファウンドリーズ社に関する詳細は、 www.globalfoundries.com をご覧ください。

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