東芝記憶體公司開發出全球首款搭載TSV技術的3D快閃記憶體

實現高速資料輸入和輸出、低功耗、大儲存容量

The World's First 3D Flash Memory with TSV Technology (Photo: Business Wire)

???pagination.previous??? ???pagination.next???

東京--()--(美國商業資訊)--記憶體解決方案的全球領導者東芝記憶體公司今日宣佈,公司已開發出全球首款[1]採用矽穿孔(TSV)[3]技術的BiCS FLASH™三維(3D)快閃記憶體[2],該產品採用每單元三位元(三階儲存單元,TLC)技術。用於開發目的的原型機已於6月開始出貨,產品樣品訂於2017年下半年發表。這一開創性器件的原型機將於8月7-10日在美國加州聖克拉拉舉行的2017年快閃記憶體高峰會上亮相。

採用TSV技術製造的器件具有垂直電極和貫穿矽晶片模的通孔以提供連接,這種結構在降低功耗的同時,可實現高速資料輸入和輸出。其實際性能在之前推出東芝二維NAND快閃記憶體[4]時已得到驗證。

結合48層3D快閃記憶體製程和TSV技術,使東芝記憶體公司能夠成功增加產品程式設計頻寬,同時獲致低功耗。單一封裝的功率效率[5]是採用引線接合技術製造的同一代BiCS FLASH™快閃記憶體功率效率的近兩倍[6]。TSV BiCS FLASH™還在單一封裝內實現了具有16顆粒堆疊式結構的1TB存放裝置。

東芝記憶體公司將推動採用TSV技術的BiCS FLASH™的商業化,為包括高階企業級SSD在內的儲存應用提供理想的低延遲、高頻寬和高IOPS[7]/watt解決方案。

一般規格(原型機)
封裝類型     NAND Dual x8 BGA-152
儲存容量   512 GB   1 TB
棧數:   8 16
外形尺寸     W   14 mm 14 mm
  D   18 mm 18 mm
    H   1.35 mm   1.85 mm
介面   Toggle DDR
最大介面速度   1066Mbps
 

註:
[1] 資料來源:東芝記憶體公司,截至2017年7月11日。
[2] 在矽基板上垂直堆疊快閃記憶體儲存單元的結構,與平面NAND快閃記憶體(儲存單元位於矽基板上)相比,其大幅提高了密度。
[3] 矽穿孔技術:該技術利用垂直電極和貫穿矽晶片模的通孔,在單一封裝內提供連接。
[4] 「東芝研發出全球首款搭載TSV技術的16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體」
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] 每個功率單位的資料傳輸速率。(MB/s/W)
[6] 與東芝記憶體公司現有產品相比。
[7] 每秒輸入輸出:每秒鐘通過I/O埠處理的資料輸入和輸出量。數值越大,性能越好。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

東芝記憶體公司
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
商業規劃部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Contacts

東芝記憶體公司
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
商業規劃部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp